Контрольные задания. 1. По значению концентрации примеси в коллекторе п-р-п транзистора, выполненного по планарно-эпитаксиальной технологии

1. По значению концентрации примеси в коллекторе п-р-п транзистора, выполненного по планарно-эпитаксиальной технологии, найти удельное сопротивление эпитаксиального слоя , если подвижность носителей , ? Ответ округлить до второго знака после запятой.

2. По значению концентрации примеси в коллекторе n-p-n транзистора, выполненного по планарно-эпитаксиальной технологии, найти удельное сопротивление эпитаксиального слоя , если подвижность носителей , ? Ответ округлить до второго знака после запятой.

3. Определить глубину коллекторного перехода в n-p-n транзисторе, выполненном по планарно-эпитаксиальной технологии, если глубина эмиттерного перехода , а ширина активной базы при рабочих напряжениях , что составляет 70 % от ширины технологической базы .

4. Определить ширину слоя объемного заряда на коллекторном переходе, распространяющегося в сторону коллектора в n-p-n транзисторе, выполненном по планарно-эпитаксиальной технологии, если составляет 50% от ширины коллектора под коллекторным переходом. Полная толщина коллекторного слоя , глубина коллекторного перехода .

5. Определить глубину коллекторного перехода в n-p-n транзисторе, выполненном по планарно-эпитаксиальной технологии, если глубина эмиттерного перехода , а ширина активной базы при рабочих напряжениях , что составляет 60 % от ширины технологической базы .