2015-05-26
663
1. По значению концентрации примеси 
в коллекторе п-р-п транзистора, выполненного по планарно-эпитаксиальной технологии, найти удельное сопротивление эпитаксиального слоя 
, если подвижность носителей 
, 
? Ответ округлить до второго знака после запятой.
2. По значению концентрации примеси в коллекторе n-p-n транзистора, выполненного по планарно-эпитаксиальной технологии, найти удельное сопротивление эпитаксиального слоя , если подвижность носителей 
, 
? Ответ округлить до второго знака после запятой.
3. Определить глубину коллекторного перехода 
в n-p-n транзисторе, выполненном по планарно-эпитаксиальной технологии, если глубина эмиттерного перехода 
, а ширина активной базы при рабочих напряжениях 
, что составляет 70 % от ширины технологической базы 
.
4. Определить ширину слоя объемного заряда 
на коллекторном переходе, распространяющегося в сторону коллектора в n-p-n транзисторе, выполненном по планарно-эпитаксиальной технологии, если составляет 50% от ширины коллектора 
под коллекторным переходом. Полная толщина коллекторного слоя 
, глубина коллекторного перехода 
.
|
|
|
5. Определить глубину коллекторного перехода в n-p-n транзисторе, выполненном по планарно-эпитаксиальной технологии, если глубина эмиттерного перехода 
, а ширина активной базы при рабочих напряжениях 
, что составляет 60 % от ширины технологической базы .
