по специальности:" Электроснабжение"
На тему:
"Примесная проводимость в полупроводниках"
Работу выполнил
Студент группы
Работу принял
Дзержинск
2014 год
Примесная проводимость полупроводников.
Проводимость полупроводников, обусловленная примесями, называется примесной проводимостью, а сами полупроводники — примесными полупроводниками. Примесная проводимость обусловлена примесями (атомы посторонних элементов), а также дефектами типа избыточных атомов (по сравнению со стехиометрическим составом), тепловыми (пустые узлы или атомы в междоузлиях) и механическими (трещины, дислокации и т. д.) дефектами. Наличие в полупроводнике примеси существенно изменяет его проводимость. Например, при введении в кремний примерно 0,001 ат.% бора его проводимость увеличивается примерно в 106 раз.
Примесную проводимость полупроводников рассмотрим на примере Ge и Si, в которые вводятся атомы с валентностью, отличной от валентности основных атомов на единицу. Например, при замещении атома германия пятивалентным атомом мышьяка (рис. 319, а) один электрон не может образовать ковалентной связи, он оказывается лишним и может быть легко при тепловых колебаниях решетки отщеплен от атома, т. е. стать свободным. Образование свободного электрона не сопровождается нарушением ковалентной связи; следовательно дырка не возникает. Избыточный положительный заряд, возникающий вблизи атома примеси, связан с атомом примеси и поэтому перемещаться по решетке не может.
|
|
С точки зрения зонной теории рассмотренный процесс можно представить следующим образом (рис. 319, б). Введение примеси искажает поле решетки, что приводит к возникновению в запрещенной зоне энергетического уровня D валентных электронов мышьяка, называемого примесным уровнем. В случае германия с примесью мышьяка этот уровень располагается от дна зоны проводимости на расстоянии D ED =0,013 эВ. Так как D ED < kT, то уже при обычных температурах энергия теплового движения достаточна для того, чтобы перебросить электроны примесного уровня в зону проводимости; образующиеся при этом положительные заряды локализуются на неподвижных атомах мышьяка и в проводимости не участвуют.
Таким образом, в полупроводниках с примесью, валентность которой на единицу больше валентности основных атомов, носителями тока являются электроны; возникает электронная примесная проводимость (проводимость n -типа). Полупроводники с такой проводимостью называются электронными (или полупроводниками n -типа). Примеси, являющиеся источником электронов, называются донорами, а энергетические уровни этих примесей — донорными уровнями.
|
|
Предположим, что в решетку кремния введен примесный атом с тремя валентными электронами, например бор (рис. 320, а). Для образования связей с четырьмя ближайшими соседями у атома бора не хватает одного электрона, одна из связей остается неукомплектованной и четвертый электрон может быть захвачен от соседнего атома основного вещества, где соответственно образуется дырка. Последовательное заполнение образующихся дырок электронами эквивалентно движению дырок в полупроводнике, т. е. дырки не остаются локализованными, а перемещаются в решетке кремния как свободные положительные заряды. Избыточный же отрицательный заряд, возникающий вблизи атома примеси, связан с атомом примеси и по решетке перемещаться не может.
По зонной теории, введение трехвалентной примеси в решетку кремния приводит к возникновению в запрещенной зоне примесного энергетического уровня А, не занятого электронами. В случае кремния с примесью бора этот уровень располагается выше верхнего края валентной зоны на расстоянии D EA =0,08 эВ (рис. 320, б). Близость этих уровней к валентной зоне приводит к тому, что уже при сравнительно низких температурах электроны из валентной зоны переходят на примесные уровни и, связываясь с атомами бора, теряют способность перемещаться по решетке кремния, т. е. в проводимости не участвуют. Носителями тока являются лишь дырки, возникающие в валентной зоне.
Таким образом, в полупроводниках с примесью, валентность которой на единицу меньше валентности основных атомов, носителями тока являются дырки; возникает дырочная проводимость (проворность p -типа). Полупроводники с такой проводимостью называются дырочными (или полупроводниками p -типа). Примеси, захватывающие электроны из валентной зоны полупроводника, называются акцепторами, а энергетические уровни этих примесей — акцепторными уровнями.
В отличие от собственной проводимости, осуществляющейся одновременно электронами и дырками, примесная проводимость полупроводников обусловлена в основном носителями одного знака: электронами — в случае донорной примеси, дырками — в случае акцепторной. Эти носители тока называются основными. Кроме основных носителей в полупроводнике имеются и неосновные носители: в полупроводниках n -типа — дырки, в полупроводниках p- типа — электроны.
Наличие примесных уровней в полупроводниках существенно изменяет положение уровня Ферми ЕF. Расчеты показывают, что в случае полупроводников n -типа уровень Ферми ЕF0 при 0 К расположен посередине между дном зоны проводимости и донорным уровнем (рис. 321), С повышением температуры все большее число электронов переходит из донорных состояний в зону проводимости, но, помимо этого, возрастает и число тепловых флуктуаций, способных возбуждать электроны из валентной зоны и перебрасывать их через запрещенную зону энергий. Поэтому при высоких температурах уровень Ферми имеет тенденцию смещаться вниз (сплошная кривая) к своему предельному положению в центре запрещенной зоны, характерному для собственного полупроводника.
Уровень Ферми в полупроводниках р- типа при 0 К ЕF0 располагается посередине между потолком валентной зоны и акцепторным уровнем (рис. 322). Сплошная кривая опять-таки показывает его смещение с температурой. При температурах, при которых примесные атомы оказываются полностью истощенными и увеличение концентрации носителей происходит за счет возбуждения собственных носителей, уровень Ферми располагается посередине запрещенной зоны, как в собственном полупроводнике.
Проводимость примесного полупроводника, как и проводимость любого проводника, определяется концентрацией носителей и их подвижностью. С изменением температуры подвижность носителей меняется по сравнительно слабому степенному закону, а концентрация носителей — по очень сильному экспоненциальному закону, поэтому проводимость примесных полупроводников от температуры определяется в основном температурной зависимостью концентрации носителей тока в нем. На рис. 323 дан примерный график зависимости ln g от 1/ T для примесных полупроводников. Участок AB описывает примесную проводимость полупроводника. Рост примесной проводимости полупроводника с повышением температуры обусловлен в основном ростом концентрации примесных носителей. Участок ВС соответствует области истощения примесей (это подтверждают и эксперименты), участок CD описывает собственную проводимость полупроводника.
|
|
рис. 32
Концентрация основных носителей тока в примесных полупроводниках примерно равна концентрации атомов примеси в них.
Роль примеси в проводимости полупроводника очень велика. Ничтожное процентное содержание примеси может увеличить проводимость полупроводника в тысячи раз.
Рассмотрим влияние примеси проводимости полупроводника на примере Германия с примесью мышьяка.
При комнатной температуре концентрация свободных электронов в чистом Германии примерно равна 1013 1/см3. Концентрация атомов Германия составляет 1022 1/см3.
Если в решётку добавить на каждый миллион атомов Германия один атом мышьяка, что составляет лишь 10-4 % от числа атомов германия, то в зоне проводимости может оказаться 1016 свободных электронов на каждый кубический сантиметр решётки, то есть в 1000 раз больше, чем при собственной проводимости германия. А это приведёт к увеличению проводимости в 1000 раз.
Аналогичные рассуждения можно привести и для полупроводников p-типа.
Следует также обратить внимание на то, что проводимость металлов значительно больше проводимости полупроводников, как с собственной, так и с примесной проводимостью. Это объясняется тем, что концентрация свободных электронов металле равна или в несколько раз больше концентрации атомов, то есть примерно 1022 1/см3, что существенно больше, чем концентрация основных носителей в полупроводниках.
|
|
Плотность тока в примесных полупроводниках определяется по формулам:
1) в полупроводниках n-типа
j = e0nu-- 21а
2) в полупроводниках p-типа
j = e0nu+ 21б
где e0 – элементарный заряд,
n – концентрация основных носителей
u – - средняя скорость направленного движения электронов
u+ - средняя скорость направленного движения дырок
Удельное сопротивление металлов – низкое, ρмет = 10 -8 – 10 -6 Ом · м. В типичных диэлектриках концентрация электронов ничтожна мала и удельное сопротивление ρдиэл = 10 8 – 10 12 Ом · м.
Удельное сопротивление полупроводников может меняться в зависимости от температуры или освещённости в пределах ρпп = 10 - 2 – 10 6 Ом · м.
Литература: Техническая и учебно-методическая документация
pppa.ru