Распределение электронов и дырок по квантовым состояниям в главных энергетических зонах кристалла. Уровень Ферми. Поверхность Ферми. Плотность квантовых состояний для энергетических зон с изотропным и анизотропным законом дисперсии.
Раздел 4. Статистика равновесных носителей заряда
4.1 Распределение электронов и дырок по квантовым состояниям в главных энергетических зонах кристалла. Уровень Ферми. Поверхность Ферми. Плотность квантовых состояний для энергетических зон с изотропным и анизотропным законом дисперсии.
4.2 Концентрация электронов и дырок в зонах для различных степеней вырождения электронного или дырочного газа.
4.3 Статистика примесных состояний. Функция распределения электронов и дырок по примесным состояниям. Плотность примесных состояний. Примесные зоны. Влияние температуры и концентрации примеси на концентрацию свободных электронов и дырок.
4.4 Плотность квантовых состояний в квантово-размерных структурах с квантовыми ямами, квантовыми нитями и квантовыми точками.
Для определения s твердого тела необходимо знать равновесную (темновую) концентрацию электронов (n) и дырок (p).
Для определения n и p необходимо знать параметры зон – плотность квантовых состояний и вероятность их дополнения – функцию распределения электронов и h+ по состояниям.
Функции распределения электронов и дырок по квантовым состояниям разрешения зон (зона проводимости и валентная зона).
Электроны в металлах, полупроводниках подчиняются квантовой статистике. Вероятность заполнения уровня E при температуре T определяется функцией Ферми – Дирака:
Электроны проводимости – фермионы – частицы, обладающие полуцелым спином, и подчиняются принципом Паули:
F – уровень (энергия) Ферми, или электрохимический потенциал.
Основные свойства функции fФ-Д :
При T ® 0
При T = 0 функция терпит разрыв (то есть функция не определена).
Из графика следует, что f есть уровень, который разделяет занятые электронами состояния в зоне проводимости от свободных.
В металлах при T = 0: уровень F соответствует максимальной энергии электронов в зоне проводимости – энергии Ферми.
В - пространстве вводят
поверхность Ферми,
которая соответствует энергии EF.
Внутри сферы Ф – находятся электроны проводимости.
Проводимость по зоне проводимости - есть жесткое смещение сферы Ф в - пространстве под действием внешнего электрического поля на величину Dkx.
При температурах T > 0:
fФ-Д = 0,5 и F имеет смысл уровня, вероятность заполнения которого ½.
Функция fФ-Д претерпевает наибольшее изменение для энергий вблизи F.
При (E – F) >> kT функция fФ-Д переходит в классическую функцию Максвелла – Больцмана:
– это высокоэнергетический хвост функции fФ-Д.
Уровень F ниже Ec на энергию не меньше kT.
В этом случае действует классическая статистика Максвелла – Больцмана и полупроводников, подчиняющиеся этой статистике – невырожденные (по концентрации).
Невырожденный полупроводник n-типа – полупроводник, в котором уровень F лежит ниже Ec в запрещенной зоне на величину не меньше kT.
Таким образом, в невырожденном полупроводнике на уровне f – нет электронов в отличие от металла!
Невырожденный полупроводник p-типа – уровень F лежит выше Ec на величину kT.
Плотность состояний N(E)
- это число квантовых состояний в зоне, приходящихся на единичный интервал энергии в кристалле единичного объема.
Предположим, что в интервале энергии: (E,E + dE) находится dS состояний.
Тогда для кристалла единичного объема: dS = N(E)dE пропорционально dE
N(E) = dS/dE – плотность состояний.
N(E) связана с формой поверхности равной энергии.
Интервалу dE соответствует шаровой слой объема, которым выделяют поверхности равной энергии:
E, E + dE = const
Число состояний
- объем, приходящий на одно состояние.
Плотность состояний в зоне проводимости
Эффективная масса – скалярная величина mn
N(E) = dS/dE dS – число состояний в интервале E, E + dE в кристалле единичного объема.
- элемент объема - пространства, заключается между поверхностями равной энергии.
E = const и E +dE = const
Найдем , используя закон дисперсии для полупроводника с изотропной эффективной массой электрона mn
Поверхности E, E + dE заключают объем - пространства
(поверхности – сферы; - шаровой слой)
- найдем из закона дисперсии:
Таким образом
Для изотропной валентной зоны: (mp – эффективная масса дырки)
Таким образом, плотность состояний пропорциональна:
Зонная модель прямозонного полупроводника с использованием функций N(E)
Используется в физике полупроводниковых приборов.
Плотность состояний в зоне проводимости многодолинного (непрямозонного) полупроводника
Эффективная масса mn - тензорная величина.
Закон дисперсии - анизотропная квадратичная величина:
mC-1, mU-1, mZ-1 – компоненты эффективной массы.
Поверхности равной энергии – эллипсоидальные с полуосями.
a, b, c:
(j = x, y, z)
Объем эллипсоида: V = 4/3p * a b c
Объем, которым выделяют поверхности E и E + dE = const находят как приращение объема dV.
Таким образом, для одной долины:
N(E) = 2p (mx my mz)1/2 (2/h)3/2 (E – Ec)1/2
Для m-долин:
N(E) =m * 2p (mx my mz)1/2 (2/h2)3/2 (E – Ec)1/2
Приведем эту формулу к виду для прямозонного полупроводника.
Для этого введем понятие эффективной массы для плотности состояний mnd:
N(E) = 2p (2 mnd / h2) 3/2 (E – Ec)1/2
где mnd = m2/3 (mx my mz)1/2
Если поверхности – эллипсоиды вращения (электроны в Ge, Si)
mx = my = m^, mz =mïï
Таким образом, mnd = m2/3 (m2^ mïï)1/2\
m^ и mï½ определяется из эксперимента по циклотронному резонансу.
Смысл введения mnd
Позволяет многодолинную зону проводимости с анизотропной эффективной массой mn записать параболичной зоной с изотропной массой с одним абсолютным минимумом (нужно для вычисления концентраций).
Эффективная масса дырок для плотности состояний - mpd
вводится для вырожденной валентной зоны (вырождение по энергии)
V1 и V2 – стыкуются в точке - имеют одинаковую энергию, но разные волновые функции.
V1 – подзона тяжелых дырок с изотропной массой – mp1
V2 – подзона легких дырок с эффективной массой – mp2.
Плотность состояний для валентной зоны:
эффективная масса дырок для плотности состояний.
Таким образом, с введением mpd сложная V-зона заменяется параболичной невырожденной валентной зоной:
Модель полупроводников с mnd и mpd:
Концентрация электронов и дырок в условиях равновесия в темноте
Концентрация электронов в зоне проводимости.
В интервале E, E + dE в зоне проводимости кристалла единичного объема содержится dn-электронов:
В зоне проводимости:
или
Введем новые переменные:
x= E – Ec/ kT – энергия электронов в единичном kT, отсчитывается от дна Ec.
- приведенный уровень Ферми
– эффективная плотность состояний в зоне проводимости
Тогда - интегралы Ферми: от параметра порядка 1/2.
- общая формула для любой степени вырождения электронного газа.
Приближенные значения :
невырожденный электронный газ
промежуточный случай
сильновырожденный электронный газ (металлы, вырожденые полупроводники)
Концентрация электронов проводимости в невырожденных полупроводниках
Общая формула:
NC – эффективная плотность состояний в зоне проводимости - интеграл Ферми.
Рассмотрим:
dn – число электронов в интервале E, E + dE зоны проводимости для V = 1
* - это указывает на незначительную концентрацию электронов в зоне проводимости – что характерно для невырожденного полупроводника.
Электроны распределены в узком интервале энергий вблизи дна зоны проводимости.
Определим n:
– концентрация зависит по экспоненте от T – признак невырожденности электронного газа.
Электропроводность полупроводника так же зависит по экспоненте от T:
(- слабее зависит от T)
Концентрация электронов проводимости в сильновырожденном полупроводнике
Площадь под кривой значительно больше, чем невырожденности полупроводника, что указывает на большую концентрацию электронов в зоне проводимости.
, где
Таким образом, n не зависит от T – признак сильного вырождения электронного газа.
При T = 0 s ¹ 0 (как в металле)
Для промежуточной системы вырождения электронного газа:
Концентрация дырок в полупроводнике p-типа
Невырожденный дырочный газ (полупроводник):
Сильно вырожденный дырочный газ (полупроводник):
Сильновырожденный полупроводник p-типа:
Смысл Nc и Nv в статистике
Таким образом, при расчете n в невырожденном полупроводнике n-типа зону проводимости представляют как набор Nc числа уровней с одинаковой энергией Ec.
Nv – валентная зона состоит из Nv уровней с одинаковой энергией Ev.
Уравнение электрической нейтральности для полупроводников и диэлектриков
Для определения n, p необходимо знать положение уравнения Ферми. Его определяют из уравнения электронейтральности полупроводников (диэлектриков).
Смысл уравнения: в любом физически малом объеме полупроводника (диэлектрика) концентрация отрицательно свободных и связанных зарядов = концентрации свободных и связанных зарядов.
Свободные носители - и h+
Связанные: дырки на уровнях донора – концентрация Pd (D+) электроны – акцептора - na (A-).
Собственный полупроводник
Уровень Ферми. Собственная концентрация носителей заряда.
Электронные процессы:
G0 и R0 – скорости процессов.
В равновесии G0 =R0.
Этому состоянию соответствует равенство n = p = ni
ni – собственная концентрация носителей заряда.
G0 – термическая генерация и h+.
Энергия рекомбинирующих частиц(+ h+) идет на нагрев кристалла (возбуждение определенных типов колебаний кристаллической решетки).
Определение Fi
Уравнение электронейтральности: n = p
Для невырожденных собственных полупроводников:
Откуда:
или
Fi линейно зависит от T.
Собственная концентрация ni
откуда
ni – зависит от DEg, плотности состояний в зонах и температурах:
линейно зависит от .
Угловой коэффициент ()
Таким образом, по ni (T) можно определить DEg при T = 0 k.
Произведение np в невырожденном полупроводнике
- не зависит от положения уровня Ферми в полупроводнике.
Используется для определения концентрации неосновных носителей заряда по известной концентрации основных носителей заряда.
· – Закон действующих масс для полупроводников n-типа.
· или – Закон действующих масс для полупроводников p-типа.