Концентрация носителей заряда

Концентрация легирующих элементов, введенных в собственный полупроводник определяет его концентрацию и косвенно влияет на многие его электрические свойства. Важнейший фактор, на который непосредственно влияет легирование – концентрация носителей заряда в материале. В беспримесном полупроводнике при тепловом равновесие концентрация электронов и дырок одинакова. То есть n = p = n _i.

Где n - концентрация проводящих электронов, p - концентрация дырок, и n _i – концентрация носителей в чистом материале. Концентрация носителей в собственном полупроводнике изменяется в зависимости от материала температуры. n _i кремния приблизительно 1×10¹⁰ см^-3 при 300 кельвинах (комнатная температура).

В общем, увеличение концентрации примеси позволяет увеличить электропроводность в связи с более высокой концентрацией носителей заряда, доступных для проводимости. Сильно легированные полупроводники имеют уровнень проводимости, сравнимый с металлами, они часто применяются в современных интегральных схемах в качестве замены металла. Надстрочные индексы плюс и минус часто используются для обозначения относительной концентрации примеси в полупроводниках. Например, n ⁺ обозначает полупроводник n -типа с высокой концентрацией примеси. Аналогично, p ⁻ указывает на слегка легированный материал с дырочной электропроводимостью. Также необходимо отметить, что даже высокие уровни легирования подразумевают низкие концентрации примесей по отношению к основному полупроводнику. В собственном кристаллическом кремнии приблизительно 5×10²² атомов/см³. Концентрация примеси для кремниевых полупроводников может варьироваться от 10¹³ см^-3 до 10¹⁸ см^-3. Концентрация примеси свыше 10¹⁸ см^-3 считается высокой при комнатной температуре. Высоколегированный кремний содержит соотношение примеси к кремнию как частей на тысячу. Это соотношение может быть уменьшено до частей на миллиард в слегкалегированном кремнии. Типичные значения концентрации находятся в этом диапазоне и приспособлены, чтобы воплотить желаемые свойства в приборе, для которого этот полупроводник предназначен.