2015-05-26
749
При включении транзистора по схеме с общей базой (рис.1.10) входным является ток эмиттера, а выходным - коллектора. Коэффициент передачи тока в этом случае определяется формулой: 
(1).
Семейство входных статических характеристик, то есть зависимость IЭ от UЭБ при фиксированных значениях UКБ, описывается выражением:
(2).
Если UКБ = 0, то 
(рис.1.11, кривая 1). При UКБ < 0и UЭБ = 0 эмиттерный ток, как следует из (2) отличается от нуля. Обычно при работе транзистора в режиме усиления 
, но тогда 
, а 
. Таким образом, в рассматриваемой ситуации в базе транзистора существует градиент концентрации дырок и IЭ не равно 0. Для компенсации этого тока на эмиттерный переход необходимо подать смещение в запорном направлении (рис. 1.11, кривая 2). Семейство выходных характеристик (зависимость IК от UКБ при фиксированных значениях IЭ) описывается формулой (3):
(3).
В том случае, когда IЭ = 0 и UЭБ = 0, а UЭБ < 0, выходная характеристика подобна вольт - амперной характеристике обратно смещенного p-n-перехода, то есть
(4).
где 
;
;
– площадь коллекторного перехода.
На рисунке 1.12 этому выражению соответствует кривая 1. Поскольку 
, то 
и последним членом в (2) можно пренебречь. Кроме того, обычно 
. С учетом этих обстоятельств из (2) следует, что:
,
где 
;
– площадь эмиттерного перехода.
Тогда, пологая, что 
, можно (3) переписать в виде:
(5),
Здесь предполагается, что 
и 
.
Полученное соотношение устанавливает связь выходного тока с током эмиттера, который выступает здесь в качестве параметра. Из (4) и (5) следует, что при UКБ = 0, IК0 = 0, а 
. Для компенсации потока дырок из эмиттерного в коллекторный переход на последний необходимо подать напряжение смещения в пропускном направлении. В связи с этим все выходные характеристики при IЭ не равному 0 начинаются в области положительных значений UКБ(рис. 1.12, кривые 2 и 3). Поскольку 
, 
, то из (5) видно, что IК и IЭ фактически не зависит от UКБ в области его отрицательных значений. При достаточно больших обратных смещениях на коллекторном переходе в нем развивается обычно лавинный пробой и на выходной характеристике появляется участок резкой зависимости IК от UКБ (рис. 1.12). Большой ток может протекать через транзистор и в случае прокола базы, когда эмиттерный и коллекторный переходы сомкнутся за счет расширения ООЗ последнего при увеличении UКБ.
