2015-05-26
966
В результате снижения потенциального барьера на эмиттерном переходе из эмиттера в базу начинается диффузионное движение основных носителей. Так как дырок (электронов) в эмиттере (базе) много больше, чем в базе (эмиттере), то коэффициент инжекции весьма высок. Концентрация дырок в базе увеличивается. Появившийся вблизи эмиттерного перехода объемный положительный заряд почти мгновенно компенсируется зарядом электронов входящих в базу от источника UЭБ. Цепь тока эмиттер – база замкнута. Электроны, устремившиеся в базу, создают вблизи эмиттерного перехода объемный отрицательный заряд. Около перехода образуется область повышенной концентрации дырок и электронов. Они начинают диффундировать в сторону коллектора. Так как база узкая, то дырки (неосновные носители) не успевают прорекомбинировать и, попадая в ускоряющее поле коллекторного перехода, втягиваются в коллектор. Этот процесс называется экстракция. Электроны же, число которых равно числу ушедших в коллектор дырок, устремляются в базовый вывод. Цепь коллектор-база замкнута.
|
|
|
,
где IЭ – ток в цепи эмиттера;
IК – ток в цепи коллектора;
IБ – ток на базовом выводе.
В активном режиме к эмиттеру приложено прямое напряжение и через переход течет ток
,
где IЭР – ток инжекции дырок из эмиттера в базу;
IЭn – ток инжекции электронов из базы в эмиттер;
IЭr – ток рекомбинации в эмиттерном переходе.
Обратный ток в биполярном транзисторе равен:
,
где Io – тепловой ток;
Ig – ток генерации;
Iу – ток утечки.
Дырочный коллекторный ток равен:
,
где IРЭ – дырочный эмиттерный ток;
IrР и Ir n – рекомбинационные токи 
.
