2015-05-30
900
У флэш-памяти перед другими накопителями (жесткие диски и оптические накопители) типа ПЗУ есть как свои преимущества, так и свои недостатки, с которыми вы можете познакомиться из таблицы расположенной ниже.
| Тип ПЗУ | Преимущества | Недостатки |
| Жесткий диск | Большой объем хранимой информации.Высокая скорость работы.Дешевизна хранения данных (в расчете на 1 Мбайт). | Большие габариты.Чувствительность к вибрации.Шум. Тепловыделение. |
| Оптический диск | Удобство транспортировки.Дешевизна хранения информации.Возможность тиражирования. | Небольшой объем.Нужно считывающее устройство.Ограничения при операциях (чтение, запись). Невысокая скорость работы. Чувствительность к вибрации. Шум. |
| Флэш-память | Высокая скорость доступа к данным.Экономное энергопотребление.Устойчивость к вибрациям. Удобство подключения к компьютеру. Компактные размеры. | Ограниченное количество циклов записи. |
Принцип работы флэш-памяти.
Элементарной ячейка хранения данных флэш-памяти представляет из себя транзистор с плавающим затвором. Особенность такого транзистора в том, что он умеет удерживать электроны (заряд). Вот на его основе и разработаны основные типы флэш-памяти NAND и NOR. Конкуренции между ними нет, потому что каждый из типов обладает своим преимуществом и недостатком. Кстати, на их основе строят гибридные версии такие как DiNOR и superAND.
Во флэш-памяти производители используют два типа ячеек памяти MLC и SLC.
Флэш-память с MLC (Multi-level cell - многоуровневые ячейки памяти)ячейки более емкие и дешевые, но они с большим временем доступа и меньшим количеством циклов записи/стирания (около 10000).
Флэш-память, которая содержит в себе SLC (Single-level cell - одноуровневые ячейки памяти) ячейки имеет максимальное количество циклов записи/стирания(100000) и обладают меньшим временем доступа.
Принцип работы флеш-памяти основан на изменении и регистрации электрического заряда в изолированной области ("карман") полупроводниковой структуры.
Изменение заряда (запись/стирание) выполняется приложением между затвором и истоком большого потенциала, чтобы напряженность электрического поля в тонком диэлектрике между каналом транзистора и карманом оказалась достаточна для возникновения туннельного эффекта. Для усиления эффекта тунеллирования электронов в карман при записи применяется небольшое ускорение электронов путем пропускания тока через канал полевого транзистора.
Чтение выполняется полевым транзистором, для которого карман выполняет роль затвора. Потенциал плавающего затвора изменяет пороговые характеристики транзистора, что и регистрируется цепями чтения. Эта конструкция снабжается элементами, которые позволяют ей работать в большом массиве таких же ячеек.
