2015-06-28
1583
Если оптическое поглощение полупроводника связано с изменением колебательной энергии атомов его решетки, то такое поглощение называется решеточным. В связи с тем, что решетка может поглощать энергию электромагнитного поля излучение только при определенных значениях энергии фотона, то спектр ее характеризуется рядом пиков поглощения, которые обычно накладываются на абсорбцию свободных носителей. Интенсивность и положение полос поглощения рещетки не меняются с изменением концентрации в ней примеси вплоть до концентрации 1018 см-3. Это поглощение не зависит и от концентрации несовершенств кристалла полупроводника, если эти концентрации не привышают величину 1019 см-3. На рис. 7 приведены спектры абсорбции решетки германия и кремния. Решеточное поглощение германия лежит в инфракрасной области спектра от 14 до 33 мкм, а кремния – в области от 7 до 30 мкм.
