Поглощение свободными носителями заряда

При освещении полупровдника светом соответствующей длинны волны электроны зоны проводимости и электроны неполностью заполненной валентной зоны могут переходить внутри зоны с одного уровня на другой. Такие внутризонные переходы происходят с нарушением правила отбора. В силу закона сохранения импульса они осуществляются только тогда, когда, наряду с поглощением фотона, происходит поглощение или испускание фонона. Это поглощение пропорционально концентрации свободных носителей , квадрату длины волны падающего света и обратно пропорционально дрейфовой подвижности :

. (1.14)

Если же энергетические зоны у полупроводника сложные, как например у германия и кремния, то на поглощение свободными носителями накладывается поглощение, обусловленное переходами дырок между отдельными подзонами сложной валентной зоны. Эти переходы происходят с соблюдением правила отбора. На рис. 2 они изображены стрелками (3,4 и 5).