Оптоэлектронный прибор

Оптоэлектронный прибор содержит одновременно источник и приемник световой энергии. Для оптопары как входным, так и выходным параметром является электрический сигнал, причем гальваническая связь между входной и выходной цепями отсутствует. В качестве излучателя оптопары могут быть использованы инфракрасный излучающий диод, светоизлучающий диод, люминесцентный излучатель или полупроводниковый лазер. Наибольшее распространение в настоящее время получил инфракрасный излучающий диод, что объясняется простотой его структуры, управления и высоким КПД. В качестве приемника оптопары находят применение рассмотренные выше фотоэлектрические приборы: фоторезистор, фотодиод, фототранзистор и др. Следует отметить, что оптопара позволила создать аналогразделительного трансформатора, что является особенно актуальным в интегральной микроэлектронике. Условные обозначения оптопары, включающей различные приемники, приведены на рис.

Для усиления и согласования выходного сигнала оптопары со стандартным уровнем напряжения, используемым для передачи и преобразования цифровых сигналов, служат оптоэлектронные ИС.

В них применяются, как правило, диодная оптопара (обладающая максимальным быстродействием) и импульсный усилитель. На рис. 74 показаны принципиальные электрические схемы оптопар.

Рис.. Опторезистор (а); оптодиод (б); оптотранзистор (в); оптопара с цифровым выходом (д)

Маркировка оптопар включает семь символов. Первый обозначает исходный материал (обычно это буква А – соединение галлия – или цифра 3 – для приборов специального назначения). Второй символ – буква О – оптопара. Третий символ указывает тип приемника оптопары: Д – диод, Т – транзистор, У – тиристор, Р – с открытым оптическим каналом. Четвертый, пятый и шестой символы указывают номер прибора. Седьмой символ – буква, обозначающая классификацию по группам параметров.

Примеры маркировки:

АОД 130А – оптопара диод-диод на основе соединения галлия, номер прибора 130, группа параметров А;

АОТ 110А – оптопара диод-транзистор на основе соединения галлия, номер прибора 110, группа параметров А;

АОУ 115А – оптопара диод-тиристор на основе соединения галлия, номер прибора 115, группа параметров А.

Диод

Двухэлектродный электронный прибор.

Двухбазовый Диод, ПП диод с двумя базовыми выводами, расположенными по обе стороны от электронно-дырочного перехода, имеющий вольтамперную характеристику с участком отрицательного сопротивления.

Вакуумный Диод, см. электронно-вакуумный Диод

Диод Ганна (по имени амер. физика J.Gunn, 1963 г. появления термина) ПП диод (не содержащий р-п-перехода), действие которого основано на появлении отрицательного объемного сопротивления в однородном кристалле ПП при воздействии сильного электрического поля. Син. Диод с междолинным переходом электронов.

Диод с барьером Шотки (диод Шотки), ПП диод, действие которого основано на свойствах контакта металла и обедненного слоя ПП.

Диффузионный Диод, ПП диод, при изготовлении котрого используется диффузия донорных или акцепторных примесей в ПП.

Емкостной Диод, см. варактор, варикап.

Излучающий Диод, ПП диод, в котором при прохождении тока генерируется оптическое излучение в инфракрасной, видимой или ультрафиолетовой областях спектра.

Импульсный Диод, предназначенный для работы в импульсных режимах в быстродействующих импульсных устройствах (с временем переключения менее 1 мкс).

Инжекторно-пролетный Диод, ПП диод, работающий в режиме инжекции носителей заряда в область запирающего слоя и предназначенный для генерации СВЧ колебаний.

Коллекторный Диод, образованный из транзистора при замыкании его эмиттера и базы.

Лавино-пролетный Диод, ПП диод, работа которого основана на явлениях лавинного умножения носителей заряда в электронно-дырочном переходе при его лавинном пробое и взаимодействии этих носителей с полем СВЧ в течение времени их пролета в переходе.

Лазерный Диод, ПП диод, источник монохроматического когерентного света, возникающего в области электронно-дырочного перехода при пропускании через него прямого тока.

Обращенный Диод, на основе ПП с критической концентрацией примесей, в котором электрическая проводимость при обратном напряжении вследствие туннельного эффекта значительно меньше, чем при прямом напряжении.

Ограничительный Диод, ПП диод с лавинным пробоем, предназначенный для ограничения импульсов напряжения.

Опорный Диод, см. стабилитрон.

Переключательный Диод, ПП диод, предназначенный для применения в коммутирующих устройствах.

Плоскостной Диод, ПП диод с плоскостным электронно-дырочным переходом.

Полупроводниковый Диод, диод с одни электронно-дырочным переходом и двумя выводами, в котором используются свойства перехода.

Светоизлучающий Диод, см. светодиод.

Силовой Диод, ПП диод, предназначенный для использования в преобразователях электроэнергии.

Смесительный СВЧ Диод, полупроводниковый Диод, предназначенный для преобразования СВЧ сигнала малого уровня мощности путем смешения его с более мощным сигналом гетеродина и выделения из возникающего при смешении спектра комбинаций частот сигнала разностной (промежуточной) частоты.

Сплавной Диод, ПП диод, в котором электронно-дырочный переход создается путем вплавления примесных веществ в материал исходной пластинки ПП.

Точечный Диод, ПП диод с точечным электронно-дырочным переходом.

Туннельный Диод, ПП диод, в котором носители заряда проходят сквозь потенциальный барьер за счет туннельного эффекта, что приводит к появлению на его вольт-амперной характеристике участка с отрицательным сопротивлением.

Электронно-вакуумный, или электровакуумный, или вакуумный Диод, двухэлектродная электронная лампа.

Эмиттерный Диод, образованный из транзистора при замыкании его коллектора и базы.