Общая характеристика каркасных силикатов

Si-O₂ тетр-ы объедин. четырьмя вершинами в общий бесконечный 3-х мерный
каркас. и образуют бесконечный кремнекислородный каркас. Характерна ковалентно-ионная связь. Часть ионов Si замещена на Al и избыт. отриц. заряд компенсир. катионами Na, K, Ca, Mg и Fe³⁺, располагающихся в каналах и пустотах, там же м/быть F,Cl, молекулы воды. Каркасная структура не плотная, имеет крупные каналы и пустоты, в которых располагаются катионные и анионные группировки, молекулы воды (например, группы F^-, Cl^-, OH^-, H₂O).

К этим сил-ам относ.:полевые шпаты: калиевые (ортоклаз), кальциево-натриевые (плагиоклазы);фельдшпатоиды (нефелин, лейцит); цеолиты (молек-ые сита). Отличие ПШ от, фельшпатоидами и цеолитами: в ПШ – пустоты не сообщаются др.с др.в цеолитах – пустоты крупные, сообщающиеся, образуют каналы; фельшпатоиды – переходная структура

Размеры пустот цеолитов и способность к обмену катионов позволяет использ-ть эти в-ва для
отделения молекул опр-ых размеров, фракциониро-вание молекул, для разделения нефтепродуктов, очистки воды, природного газа. Для цеолитов: белый цвет, стеклянный блеск, тв 3,5-5. При медленном нагревании до 800⁰С удаляется вода без разложения, обезвоженные цеолиты обладают высокой сорбционной способностью.

Свойства каркасных силикатов: форма кристаллов различна, тв. 4,5-6, плотность=2,1-2,6, блеск стеклянный, окраска вызвана наличием дефектов в структуре.

25.Оптическая индикатриса – определение. Ориентировка оптической индикатрисы в кристаллах различных сингоний.

Оптическая индикатриса – воображаемая вспомогательная поверхность, имеющая форму шара или эллипсоида, каждый радиус-вектор которой пропорционален показателю преломления той волны колебания, которая совершается в данной разности хода.

Ориентировка – взаимное расположение осей индикатрисы и кристаллографической оси.

В кристалле кубической сингонии – ориентировка произвольна, т.к. она имеет форму шара;

В кристалле средних сингоний – ориентировка однотипна, т.к. ось индикатрисы совпадает с осью симметрии высшего порядка;

В кристаллах низших сингоний – ориентировка зависит от симметрии кристалла.

В кристаллах ромбической сингонии – кристаллографические оси а,b,c, взаимно перпендикулярны и совпадают с осями индикатрисы;

В кристаллах моноклинной сингонии – одна из осей индикатрисы совпадает с кристаллографической осью, а две другие образуют определенный угол, который является диагностическим.

В кристаллах триклинной сингонии – все оси индикатрисы образуют с кристаллографическими углы, которые являются диагностическим признаком