Формирование изображения в слоях фотополимеров (фоторезисторов) осуществляется благодаря реакциям фотолиза, фотодиме-ризации или фотоструктурирования. В результате воздействия света экспонированные участки перестают растворяться в некоторых растворителях (проявителях фоторезисторов), или наоборот, скорость растворения экспонированных участков становится гораздо большей, чем неэкспонированных. В первом случае фоторезисторы называют негативными, во втором — позитивными. Примером негативного фоторезистора может служить слой на основе поливи-нилциннамата — продукта этерификации поливинилового спирта коричной кислоты.
Фоторезисторы находят применение в качестве технологического материала в фотолитографических процессах изготовления различных изделий современной электроники и микроэлектроники (печатные платы, полупроводниковые приборы и схемы, фотошаблоны).
Спектральная чувствительность фотополимеров (фоторезисторов) ограничивается диапазоном 240-400 нм. Разрешающая способность составляет порядка 500 мм".