|
|
Пусть на входе - НУ, тогда VT1 открыт, переход БЭ - открыт, IЭ=IБ для VT1.
Схема замещения следующая:
|
На входе ВУ; переход база-эмиттер транзистора VT1 закрыт. Транзистор VT2 находится в инверсном режиме.
I¢ВХ=bИНВ+IR1
I¢ВХ £ 40 мкА для К155
Схема замещения со стороны выхода
|
Выход = НУ; Цепь VT3 закрыта, диод закрыт. VT4 - в насыщении.
Схема замещения:
На выходе - ВУ:
|
1) VT3 находится в линейном режиме.
|
2) VT3 находится в насыщении.
Так как в обоих режимах выходное сопротивление мало, необходимо учитывать выходное сопротивление открытого диода и открытого перехода база-эмиттер. В результате схемы получатся следующими:
|
|






