Входные характеристики транзистора ОЭ – это зависимость входного тока от входного напряжения при постоянном выходном напряжении, т.е.
при
IБ,mA UКЭ =0 UКЭ=5В
UБЭ, В
0 1
Если использовать выходное напряжение >5В, то входные характеристики незначительно сместятся вправо, (пойдут кучно), поэтому чтобы не загромождать рисунок, ограничиваются двумя характеристиками: при и при . При этом погрешность будет незначительной, ею можно пренебречь.
Выходные характеристики транзистора ОЭ - зависимость выходного тока от выходного напряжения при постоянном входном токе, т.е. при
IК, mA
IБ3
насыщение IБ2
IБ1 IБ3 > IБ2 > IБ1
IКЭО IБ=0
отсечка UКЭ, В
3.1.9 Динамический режим работы транзистора
Динамический режим работы транзистора – это режим, при котором во входной цепи имеется источник переменного сигнала, а в выходной цепи присутствует сопротивление нагрузки.
2-й закон Кирхгофа для выходной цепи:
Данное выражение является уравнением выходной динамической характеристики (уравнением нагрузочной прямой).
|
|
Нагрузочная прямая строится на семействе выходных статических вольт-амперных характеристик по двум точкам (А и В):
а) Пусть транзистор полностью закрыт (режим отсечки), т.е. . Тогда из уравнения (11) получим .
Таким образом, координаты точки А будут:
б) Пусть транзистор полностью открыт (режим насыщения), т.е. . Тогда из уравнения (11) получим .
Таким образом, координаты точки В будут:
IК, mA IБ4
ЕП/RК B IБ3
IБ2
нагрузочная IБ1
прямая (выходная A IБ=0
динамическая 0 ЕП UКЭ,В
характеристика)
Выходная динамическая характеристика транзистора отличается от статических выходных ВАХ, т.к. наличие сопротивления нагрузки резко изменяет режим работы транзистора.
В качестве входной динамической характеристики используют входную статическую характеристику транзистора при , т.к. они мало чем отличаются вследствие того, что сопротивление нагрузки слабо влияет на входную цепь. IБ,mA
UКЭ=5В
входная динамическая
характеристика
0 1В UБЭ,В