Цель занятия: Научиться опытном путем снимать вольт-амперные характеристики полупроводниковова диода

Лабораторное занятие

Снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода

Цель занятия: Научиться опытном путем снимать вольт-амперные характеристики полупроводниковова диода

Теоретический учебный материал

Двухэлектродный полупроводниковый элемент – диод содержит n- и p- проводящие слои (рисунок1)в n-проводящем слое в качестве свободных носителей заряда преобладают электроны, а в р- проводящем слое – дырки. Существующий между этими слоями р-n переход имеет внутренний потенциальный барьер, препятствующий соединению свободных носителей заряда. Таким образом, диод блокирован.

р- n переход P N условное обозначение: анод катод Рисунок 1

При прямом приложении напряжений («+» к слою р, «-»к слою n) потенциальный барьер уменьшается, и диод начинает проводить ток (диод открыт).при обратном напряжении потенциальный барьер увеличивается (диод заперт). В обратном направлении протекает только небольшой ток утечки, обусловленный неосновными носителями.

Ход работы:

Снять вольтамперную характеристику полупроводникового диода в прямом и обратном направлениях.