| Ку р с | Название и содержание тем (по типовой или учебной программе) | Контрольн. работа (номер и тема по.2) | Лабора-торная -работа с указанием вида 1 (по п.1) | Оснаще-ние конт-рольных и лабораторных работ (по п.5) | Литера-тура (по п.4) | Рекоменд. объем для изучения (в часах)2 | Форма контроля знаний (зачет по контрольной работе, тесты, защита лабораторной работы, защита курсового проекта, экзамен, зачет) |
| Раздел 1. | |||||||
| Тема 1. Введение. Классификация электронных приборов. Основные свойства и особенности электронных приборов. | [3, с. 4-5], [2 с. 6-11], [5 с. 5-10]. | Экзамен | |||||
| Тема 2. Физические основы полупроводниковой электроники. Контактные явления в полупроводниках. Вольт-амперная характеристика (ВАХ) идеализированного электронно-дырочного перехода. Емкости перехода. Пробой p-n перехода. Контакт металл-полупроводник. Выпрямляющий и невыпрямляющий контакты. Гетеропереходы. | [1, с. 5-46], [2, с. 12-51], [3 с. 24-40]. | Экзамен | |||||
| Тема 3. Полупроводниковые диоды. Классификация полупроводниковых диодов Принцип работы, характерис-тики, параметры, схемы включения. Система обозначения полупроводниковых диодов. Влияние температуры на ВАХ. | [1, с. 47-78], [2, с. 97-139]; [3, с. 40-55], [5 ст. 18-34]. | Экзамен | |||||
| Тема 4. Биполярные транзисторы. Устройство и принцип действия биполярного транзистора (БТ). Схемы включения. Режимы работы. Токи в транзисторе; коэффициенты передачи тока в схемах с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Статические характеристики транзистора. Системы Z-, Y-, H- параметров и схемы замещения транзистора. Т- и П-образные эквивалентные схемы транзисторов. Работа транзистора с нагрузкой. Построение нагрузочной прямой. | 2.1 | [1, с. 79-179], [2, с. 140-204], [3, с. 56-81], [5, с. 34-52]. | Зачет по контрольной работе, Экзамен | ||||
| Тема 5. Полевые транзисторы. Полевой транзистор (ПТ) с управляющим p-n переходом. Устройство, схемы включения. Принцип действия, Статические характеристики. ПТ с барьером Шотки.. МДП транзисторы со встроенным и индуцированным каналами. Работа ПТ на высоких частотах и в импульсном режиме. Сравнение полевых и биполярных транзисторов. | [1, с. 180-213], [2, с. 205-244], [3, с. 82-99], [5, с. 52-63]. | Экзамен | |||||
| Тема 6. Переключающие приборы. Устройство, принцип действия, ВАХ, разновидности тиристоров, диодные тиристоры, триодные тиристоры, симисторы, области применения. Параметры и система обозначения | [1, с. 214-223], [2, с. 262-318], [3, с. 100-106], [5, с. 63-66]. | Экзамен | |||||
| Тема 7. Элементы интегральных микросхем. Пассивные элементы: резисторы, конденсаторы. Биполярные транзисторы в интегральном исполнении с барьером Шотки, многоэмиттерные, с инжекционным питанием. Полупроводниковые приборы с зарядовой связью (ПЗС). | [3, с. 153-173]. | Экзамен | |||||
| Тема 8. Компоненты оптоэлектроники Классификация элементов оптоэлектроники. Полупроводниковые источники излучения.. Светодиоды, Полупроводниковые приемники излучения: фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры. Фотоэлементы. Оптроны и их разновидности. | [1, с. 328-360], [2, с. 262-318], [3, с. 125-150], [5, с. 86-95]. | Экзамен | |||||
| Тема 9. Приборы отображения информации. Типы электронно-лучевых трубок: осциллографические, трубки индикаторных устройств, кинескопы, трубки дисплеев. Жидкокристаллические индикаторы.. ЖК мониторы,. Газоразрядные индикаторы (ГРИ).. Плазменные индикаторы и мониторы | [1, с. 282-316], [2, с. 364-393], [3, с. 107-124]. | Экзамен | |||||
| Тема 10. Параметры и характеристики аналоговых устройств. Требования к аналоговым устройствам. | [3, с. 245-255], [5, с. 135-146] | Экзамен | |||||
| Тема 11. Цепи питания транзистора в режиме покоя. Температурная стабилизация режима работы транзисторов по постоянному току. Рабочая точка усилительного каскада. Построение нагрузочных характеристик. Определение параметров рабочего режима. | [3, с. 255-260, 269-274]. | Экзамен | |||||
| Тема 12. Усилительные каскады. Усилительные каскады с общим эмиттером и общей базой. с общим истоком, Эмиттерный и истоковый повторители. Применение класса работы активного элемента А., В, АВ, С и D. Двухтактные оконечные каскады. Трансформаторные двухтактные каскады.. Нелинейные искажения в двухтактных каскадах. Бестрансформаторные двухтактные каскады и их расчет. | 2.1. | 1.1 | 5.1 | [3, с. 275-281], [5, с. 159-193], [18] | Зачет по контрольной работе, защита лабораторной работы | ||
| Тема 13. Обратная связь и ее влияние на показатели и характеристики усилительных устройств. Основные способы обеспечения обратной связи. Влияние обратной связи на показатели и характеристики усилительных устройств. | [3, с. 261-268, 282-288], [5,с. 157-173], | Экзамен | |||||
| Тема 14. Усилители постоянного тока. Усилители постоянного тока прямого усиления. Дрейф нуля. Усилители с преобразованием сигнала. Дифференциальный усилитель. Коэффициент усиления по дифференциальному и синфазному сигналам. Дифференциальные усилитеи с повышенным значением коэффициента усиления и входного сопротивления | [3, с. 288-291]. | Экзамен | |||||
| Тема 15. Операционные усилители. Интегральные операционные усилители (ОУ) и их классификация Схемотехника входных и выходных каскадов. Основные параметры и характеристики. Инвертирующие и неинвер-тирующие усилители.с точным значением. Cуммирование, вычитание, дифференцирование, интегрирование на ОУ.Активные RC-фильтры и способы их реализации. | [3, с. 292-323], [5, с. 272-318], [6, с. 127-217]. | Экзамен | |||||
| Тема 16. Электронные ключевые схемы. Одновходовый транзисторный ключ с общим эмиттером: статические режимы, переходные процессы, быстродействие, методы повышения быстродействия. Ключи на полевых транзисторах. Ключи на комплементарных транзисторах. | 2.2. | [3, с. 174-188], [5, с. 370-414]. [18] | Зачет по контрольной работе, | ||||
| Тема 17. Цифровые логические устройства. Основы алгебры логики. Логические функции. Логические элементы и их классификация. Диодно-транзисторная логика; транзисторно-транзисторная логика. Микросхемы ТТЛ с открытым коллектором. Эмиттерно-связанная логика. Интегральная инжекционная логика. Логические элементы на МДП-транзисторах. Параметры логических схем. | 1.2 | 5.1 | [3, с. 188-227], [5, с. 504-518, 631-669], [18] | защита лабораторной работы | |||
| Тема 18. Триггеры. Классификация триггеров по функциональному признаку (синхронные, асинхронные), Динамические, установочные и управляющие входы асинхронного триггера. Триггеры на потенциальных логических элементах: с установочными входами (асинхронный RS-триггер, синхронный RS-триггер, D-триггер, T-триггер, MS-триггер, JK-триггер). | [3, с. 227-238]. | Экзамен | |||||
| Тема 19. Мультивибраторы. Ждущий и самовозбуждающийся мультивибратор с коллекторно-базовыми связями: схема, принцип действия, условия работоспособности, переходные процессы формирования временно устойчивого состояния и восстановления заряда на времязадающем конденсаторе. | [3, с. 239-244]. | Экзамен | |||||
| Тема 20 Источники питания. Сетевые трансформаторы устройств электропитания. Однофазные выпрямители переменного напряжения – однополупериодные, двухполупериодные, мостовые. Электронные стабилизаторы напряжения. Расчет параметров стабилизатора напряжения: коэффициента полезного действия, коэффициента стабилизации, коэффициента сглаживания пульсаций. Защита стабилизатора напряжения от перегрузок. Импульсные источники питания. | [1,с.215-395] [2, с. 29-44, 77-192], [3, с. 83-122, 180-233,310-388] | Экзамен | |||||
| . Тема 21. Анализ электронных схем на ЭВМ Математические основы анализа электронных схем. Алгоритмы анализа. Пакеты прикладных программ для изображения и анализа электронных схем: «Pspice (Design Lab)”, “MICRO-CAP”. “PCAD (Accel EDA)”, “Orcad» и др. Сравнительная характеристика пакетов, основы входного языка. Тенденции развития технологии электронных приборов и схемотехники аналоговых и цифровых схем | [3, с. 389-395]. | Экзамен |
Содержание
2015-07-04
747Поделись с друзьями:
Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:
|
|
Сейчас читают про:
5929
5764