Изоляция коллекторной диффузией

Лекц.10.

Таким образом, мы рассмотрели изоляцию разделительной диффузией. Другой разновидностью изоляции p-n-переходом является изоляция коллекторной диффузией, преимуществом которой является меньшее количество операций, что обеспечивает увеличение плотности упаковки, а недостатком - меньшее пробивное напряжение коллектора.

На поверхности подложки p-типа формируют n⁺ скрытые слои, производят эпитаксиальное наращивание p-Si слоем, толщиной 3 ¸ 5 мкм. Затем производят диффузию n-Si до пересечения области n-типа со скрытым слоем.

Слои n⁺ ограничивают с четырех сторон по периметру p-эпитаксиальный Si. Затем в этой области формируют эмиттерный слой:

, e ∙ U_кр = e ∙ φ_p – e ∙ φ_n,

C = εε₀S/L, .

Так как эта область сильно легирована, то в этом слое самая большая барьерная емкость.