2015-07-04
1360
Эпик-процесс - исторически, первый способ изоляции диэлектриком.
- на подложке из n-типа Si формируется сильно легированный слой (n+), основа будущего скрытого слоя;
- через маску в пластине вытравливаются канавки глубиной 3-10 мкм;
- поверхность всей пластины окисляется;
- выращивают толстый слой поликристаллического кремния толщиной порядка 300 мкм (толщина подложки);
- подложку сошлифовывают, получая карманы n-типа со слоем (n+) на дне, карманы изолированы диэлектриком; 
- В этих карманах формируют транзисторы.
Технология довольно сложная, основная трудность точная шлифовка.
Технология кремний на сапфире (КНС) (Silicon On Sapphire {SOS}).
Монокристаллический Al2O3 и Si имеют одинаковую кристаллографическую структуру, постоянные решеток близки. По этому кремний образует на сапфире монокристаллическую пленку. На всей поверхности сапфировой подложки выращивают слой n-Si толщиной 2-3 мкм. За тем через маску в слое n-Si вытравливаются канавки до Al2O3. В результате образуются островки, отделенные друг от друга воздушными промежутками. В этих островках формируют транзисторы. Недостаток – рельефность, затрудняющая формирование металлической разводки 
