Резонансный усилительный каскад с общим эмиттером

В качестве первого примера рассмотрим резонансный усилительный каскад на биполярном транзисторе с общим эмиттером, схема которого дана на рис. 4.1а.

Рис. 4.1. Резонансный усилительный каскад на биполярном транзисторе с общим эмиттером:

а) принципиальная схема;

б) эквивалентная схема для определения K(ω)

Сравнивая эту схему с рассмотренной выше в п. 2.1 схемой, приведенной на рис. 2.2а, заметим, что они отличаются только нагрузкой транзистора. В схеме рис. 2.1а это резистор R_К, здесь – колебательный контур с конденсатором С и катушкой индуктивности L. Анализируя эквивалентную схему каскада, данную на рис. 4.1б, подобно тому, как это выполнено в п. 2.1, получим выражение, определяющее комплексную передаточную функцию усилителя:

,	(4.1)
,

где G_Э = G_ВН+G_Н – эквивалентная проводимость,

– сомножитель, описывающий явление

резонанса с его основнымипараметрами: резонансной частотой ω₀= 1 / и добротностью Q=ω₀CR_Э.

Этот сомножитель отличает формулу (4.1) от (2.1), и именно он определяет зависимость коэффициента усиления от частоты. Амплитудно-частотная и фазо-частотная характеристики каскада из (4.1) определяются выражениями:

,	(4.2)

Из полученных формул следует, что максимальный коэффициент усиления k_max=SR_э достигается на резонансной частоте контура ω₀. Она и определяет частоту настройки усилителя, т.е. ω_Н = ω₀. Амплитудно-частотная характеристика каскада имеет вид резонансной кривой, обусловливающей линейные искажения сигналов, пропорциональные сомножителю N(ω). Полоса пропускания Δω_П определяется добротностью Q. Полярность сигналов при усилении изменяется.