Порядок виконання роботи

1. Ознайомитися з основними параметрами біполярного транзистора типу КТ315Б, який досліджується в лабораторній роботі.

Транзистор виготовлений з кремнію за епітаксіально–планарною технологією структури n-p-n. Призначені для використання в підсилювачах.

Статичний коефіцієнт передачі струму в схемі з загальним емітером (ЗЕ) при В, мА: 50…120.

Гранична частота коефіцієнта передачі струму 250 МГц.

Зворотний струм колектора при В, не більш 1 мкА.

Максимально допустимий струм колектора 100 мА.

Максимально допустима напруга колектор–емітер 20 В.

Максимально допустима потужність, яку розсіює коло колектора, 150 мВт.

Температура навколишнього середовища -60…+100 °С.

2. Для зняття вхідної статичної характеристики біполярного транзистора включеного за схемою з ЗЕ, зібрати схему відповідно до рис.1.1.

Рис.1.1

Таблиця1.1

U КЕ =0 В	, мВ
, мкА
, мА
U КЕ=5 В	, мВ
, мкА
, мА

3. Зняти й побудувати вхідні статичні характеристики транзистора з ЗЕ при . Результати занести до табл.1.1.

4. Зняти й побудувати передатну характеристику транзистора з ЗЕ при . Результати занести до табл.1.1.

5. Зняти й побудувати вихідні статичні характеристики транзистора з ЗЕ при . Результати занести до табл.1.2.

Таблиця 1.2

І Б =20 мкА	, В	0,2	0,4	0,6
, мА
І Б =40 мкА	, В	0,2	0,4	0,6
, мА

6. За збудованими характеристиками визначити: вхідний диференціальний опір ; вихідний диференціальний опір ; статичний коефіцієнт передачі струму в схемі з ЗЕ ; статичний коефіцієнт передачі струму в схемі з загальною базою (ЗБ) ; динамічний коефіцієнт передачі струму в схемі з ЗЕ .