2015-07-14
307
Параметры транзисторов являются величинами, характеризующими их свойства.
Все параметры можно разделить на собственные (первичные) и вторичные.
Собственные параметры характеризуют свойства самого транзистора независимо от схемы его включения. К ним относятся: r э – сопротивление эмиттера, r к – сопротивление коллектора, r б – сопротивление базы. Значения сопротивлений рассматриваются по отношению к переменной составляющей.
С учетом этих параметров транзистор, включенный по схеме с ОЭ, может быть представлен эквивалентной схемой.
Схема замещения:
Генератор тока отражает усилительные свойства схемы, а уменьшение коллекторного сопротивления на 1-α – тот факт, что к эмиттерному переходу прикладывается часть напряжения Uкэ.
Статическими характеристиками транзисторов называют графики, выражающие функциональную зависимость между токами и напряжениями транзистора.
Статическими характеристиками являются статический коэффициент передачи тока эмиттера α и статический коэффициент передачи тока базы β.
|
|
|
С точки зрения системы вторичных параметров транзистор рассматривают как некоторый четырехполюсник со следующей схемой замещения.
Эквивалентная схема с h-параметрами:
1) Входное сопротивление при коротко замкнутом выходе 
при 
, к.з. на выходе по переменному току, 
.
2)Коэффициент обратной связи по напряжению 
при х.х. на входе, 
. Этот коэффициент показывает, какая доля выходного переменного напряжения передается на вход транзистора вследствие отрицательной обратной связи в нем.
3) Усиление тока при к.з. на выходе по переменному току 
, при 
, 
.
Показывает коэффициент усиления переменного тока транзистором в режиме работы без нагрузки.
4) Выходная проводимость при х.х. на входе 
, при 
, 
– часто используют выходное сопротивление.
Представляет собой внутреннюю проводимость для переменного тока между выходными зажимами транзистора.
