Параметры

Основные параметры МДПтранзисторов аналогичны параметрам ПТ о р-п переходом и имеют тот же физический смысл. Только в МДПтранзис торах с индуцированным каналом вместо параметра напряжения отсечки U вводят параметр - пороговое напряжение затвора U . Наличие диэлектрика, изолирующего затвор от канала, увеличивает на несколько порядков входное сопротивление МДП транзисторов (до 10^{х 5} Ом).
23 МДП транзистор с индуцированным каналом. Принцип действия. ВАХ. УГО. Параметры.

МДП транзистор с индуцированным каналом. Принцип действия

Различают две разновидности МДП (МОП) транзисторов: с индуцированным каналом, со встроенным каналом.

Рисунок 1 - p-канальный МДП транзистор. а) – с индуцированным каналом

· МДП-транзисторы с индуцированным каналом

При отрицательном потенциале на затворе (рис.1 а.) в результате проникновения электрического поля через диэлектрический слой в полупроводник при малых напряжениях на затворе (меньших UЗИ пор) у поверхности полупроводника под затвором возникает обеднённый основными носителями слой и область объёмного заряда, состоящая из ионизированных нескомпенсированных примесных атомов. При напряжениях на затворе, больших UЗИ пор, у поверхности полупроводника под затвором возникает инверсный слой, который и является каналом.

Вах

Стоковые (выходные) вольт-амперные характеристики транзистора с индуцированным каналом приведены на рис. 5.5, а. Они близки по виду аналогичным характеристикам транзистора со встроенным каналом и имеют тот же характер зависимости . Отличие заключается в том, что управление током транзистора осуществляется напряжением только положительной полярности, совпадающей с полярностью напряжения . Ток стока равен нулю при , в то время как в транзисторе со встроенным каналом для этого необходимо изменить полярность напряжения на затворе относительно истока.

Рис. 5.5. Характеристики транзистора с индуцированным каналом:

а – стоковые характеристики; б – стоко-затворная характеристика

Вид стоко-затворной характеристики транзистора с индуцированным каналом показан на рис. 5.5, б. В отличие от транзистора со встроенным каналом, характеристика имеет только одну ветвь, соответствующую только режиму обогащения.

УГО

Это БЕЗ выводом

со встроенным p-каналом обедненного типа

со встроенным n-каналом обогащенного типа

с индуцированным p-каналом обогащенного типа

с индуцированным n-каналом обогащенного типа