Предназначены такие устройства для регистрации больших по размеру светящихся объектов. Прибор представляет из себя матрицу, на поверхности которой методами микроэлектроники создается множество изолированных др. от др. р-n-переходов. Структура представляет из себя: нижний слой - Ме, следующий слой - оксид Ме, верхний – полупроводниковый материал. Такие стр-ры наз. МОП-стр-ры.
полупроводник |
МеО |
Ме |
Электрически каждый из этих квадратов представляет конденсатор, заряд которого может меняться в зависимости от велич. светового потока, падающего на полупроводник. Заряд каждого конденсатора меняется в зависимости от характера распределения светового потока.
Верхняя обкладка каждого конденсатора имеет свой собственный вывод (контакт), с помощью интегральной электроники производится опрос состояния каждого конденсатора (снятие заряда с обкладки). Причем эта операция может проводиться как последовательно, так и параллельно. В результате после превращения такого эл. сигнала из аналоговой в цифровую форму на экране встроенного в прибор микропроцессора формируется изображение объекта.