Термостабилизация(т.с) фиксацией тока базы. (рис 2.18.)
определяется соотношением:
, т.к.
.
"фиксируется" выбором
, при этом ослабляется влияние первого фактора нестабильности тока коллектора (за счет смещения проходных характеристик). Коллекторная т.с.(рис 2.19а).
определяется соотношением:
, т.к.
. т.с осуществляется ООС, введенной в каскад путем включения
между базой и коллектором БТ. Механизм действия ООС:
,
эмитерная т.с (рис 2.20).
Эффект т.с в этой схеме достигается:
фиксацией потенциала
выбором тока базового делителя
. введением по постоянному току ООС путем включения
. На частотах сигнала эта ООС устраняется шунтированием резистора
емкостью
.
. Механизм действия ООС: 
21.2 Как обеспечивается температурная стабилизация режима усилительного каскада по постоянному току?
Здесь в цепь базы транзистора включен прямосмещенный диод D, температурный коэффициент стабилизации напряжения (ТКН) которого равен ТКН эмиттерного перехода БТ. При изменении температуры окружающей среды напряжение
и напряжение на диоде
будет меняться одинаково, в результате чего ток покоя базы
останется постоянным. Наилучшая реализация этого метода термокомпенсации достигается в ИМС, где оба перехода естественным образом локализуются в пределах одного кристалла и имеют совершенно одинаковые параметры. Большой класс цепей, питающих БТ, составляют схемы с двумя источниками питания (рис 2.22).
По сути, это схема эмиттерной термостабилизации, у которой "жестко" зафиксирован потенциал
,
, а
. Следует отметить возможность применения данных схем термостабилизации при любой схеме использования БТ в любой комбинации.






