Инжекционная логика с диодами Шоттки

Введение диодов Шоттки (ДШ) в схемы И²Л обеспечивает увеличение быстродействия путем исключения накопления неравновесных носителей при прямом смещении (диффузионные емкости) и уменьшения логических перепадов, а также упрощает структуру логической схемы за счет электрической развязки логических цепей. Логический перепад снижается до величины U _Л= 0,3-0,4 В.

Уменьшение задержки обеспечивается в элементах с диодами и транзисторами Шоттки (рис 16). Транзистор Шоттки образуется путем включения диода Шоттки, VD_шо шунтирующего переход коллектор-база. Развязывающий VD_шо и шунтирующий VD_шо должны иметь различную высоту потенциального барьера. Логический переход в таких элементах И²Л составляет примерно U _л = 150-200 мВ. Вследствие малых значений U_л и t_эд для данной схемы характерно высокое быстродействие и низкая работа переключения.

Рис. 16

Таким образом, по своим основным параметрам: потребляемой мощности, площади, занимаемой на кристалле, другим И²Л — элементы наиболее перспективны для построения микросхем высокой степени интеграции, содержащих сотни и тысячи элементов на одном полупроводниковом кристалле. Одной из важнейших областей их применения является создание БИС микропроцессоров.