Изучение вольт-амперных характеристик фотоэлемента

1. Включить источник света и перевести большой тумблер 4 (см. рис. 12) блока питания в верхнее, а малый тумблер 6 - в крайнее правое положение. Придвинуть вплотную к фотоэлементу источник света.

Предварительно вывести из зоны облучения фотоэлемента све­тофильтры!

Изменяя анодное напряжение U_a ручками 7 - "грубо" и 8 - "точно" и контролируя это напряжение по вольтметру 2, расположенным на перед­ней панели блока питания, измерять значения фототока Iф по микроампер- метру 3 при разных напряжениях U_a. Установить источник света на рас­стоянии 16 см от фотоэлемента. Это расстояние измеряется между стрел­ками обозначающими положение источника и фотоэлемента. Снова изме­няя анодное напряжение U_а, измерить значения фототока Iф Аналогичные и^еренТя провести для различных расстояний (20, 30, 40 и 50 см) между источником света и фотоэлементом. По окончании измерении выключить источник света и блок питания.

2. По данным своих измерений.

- построить вольт-амперные характеристики фотоэлемента. Убедить­ся в справедливости закона Столетова.

- построить график зависимости фототока насыщения 1_Н от величины светового потока. Световой поток рассчитывается по формуле

Ф = E S

где Е - освещенность фотокатода; S - плошадь фотокатода (диаметр фото­катода d - 0,02 м).

Освещенность вычисляется по формуле

где I = 100 кд - сила света источника, г - расстояние между источником света и фотоэлементом.

3. Вычислить интегральную чувствительность фотокатода b из вы­ражения

Iн = bФ

где U - ток насыщения; Ф - световой поток (см. предыдущий пункт зада­ния).

Продумать, каким образом можно оценить, какое количество свето­вых квантов (фотонов) необходимо для выбивания одного электрона из вещества.