2015-10-14
273
8.1.Наименование и цель работы.
8.2. Схема исследования биполярного транзистора (схемы выполняются согласно ГОСТ).
8.3. Основное оборудование.
8.4. Таблицы экспериментальных данных.
8.5. Входные и выходные ВАХ биполярного транзистора (выполняются аккуратно остро отточенным карандашом на миллиметровой бумаге).
8.6. Выводы.
Контрольные вопросы.
9.1.Почему исследуемая схема называется схемой с общим эмиттером?
9.2.Какие характеристики в схеме с ОЭ называются входными и выходными? Какой вид они имеют?
9.3..Нарисуйте схему для снятия входных и выходных характеристик транзистора с ОЭ и поясните методику их снятия.
Рис.2 Схема исследования транзистора.
| № варианта | транзистор |
| 2N3905 | |
| 2N3906 | |
| 2N4058 | |
| 2N4061 | |
| 2N4062 | |
| 2N4125 | |
| 2N4126 | |
| 2N4289 | |
| 2N4291 | |
| 2N4398 |
Варианты:
------------------------------------------------------------------------------------------
Основные параметры транзистора 2N3905 биполярного высокочастотного p-n-p.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: pnp
| Pc max | Ucb max | Uce max | Ueb max | Ic max | Tj max, °C | Ft max | Cc tip | Hfe |
| 310mW | 40V | 40V | 5V | 200mA | 135°C | 200MHz | 50/150 |
---------------------------------------------------------------------------------------------------------
