Основные параметры транзистора 2N3906 биполярного высокочастотного p-n-p

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: pnp

Pc max	Ucb max	Uce max	Ueb max	Ic max	Tj max, °C	Ft max	Cc tip	Hfe
310mW	40V	40V	5V	200mA	135°C	250MHz		100MIN

----------------------------------------------------------------------------------------------------

Основные параметры транзистора 2N4058 биполярного низкочастотного p-n-p.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: pnp

Pc max	Ucb max	Uce max	Ueb max	Ic max	Tj max, °C	Ft max	Cc tip	Hfe
360mW	30V	30V	6V	30mA	150°C	-	-	100MIN

-----------------------------------------------------------------------------------------

Основные параметры транзистора 2N4061 биполярного низкочастотного p-n-p.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: pnp

Pc max	Ucb max	Uce max	Ueb max	Ic max	Tj max, °C	Ft max	Cc tip	Hfe
360mW	30V	30V	6V	30mA	150°C	-	-	90/330

Основные параметры транзистора 2N4062 биполярного низкочастотного p-n-p.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: pnp

Pc max	Ucb max	Uce max	Ueb max	Ic max	Tj max, °C	Ft max	Cc tip	Hfe
360mW	30V	30V	6V	30mA	150°C	-	-	180MIN

---------------------------------------------------

Основные параметры транзистора 2N4125 биполярного высокочастотного p-n-p.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: pnp

Pc max	Ucb max	Uce max	Ueb max	Ic max	Tj max, °C	Ft max	Cc tip	Hfe
310mW	30V	30V	4V	200mA	135°C	200MHz		50/150

------------------------------------------------------

Основные параметры транзистора 2N4126 биполярного высокочастотного p-n-p.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: pnp

Pc max	Ucb max	Uce max	Ueb max	Ic max	Tj max, °C	Ft max	Cc tip	Hfe
310mW	25V	25V	4V	200mA	135°C	250MHz		120MIN

-------------------------------------------------------------------

Основные параметры транзистора 2N4289 биполярного высокочастотного p-n-p.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: pnp

Pc max	Ucb max	Uce max	Ueb max	Ic max	Tj max, °C	Ft max	Cc tip	Hfe
250mW	60V	45V	7V	50mA	150°C	40MHz		100MIN

-----------------------------------------------------------------

Основные параметры транзистора 2N4398 биполярного низкочастотного p-n-p.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: pnp

Pc max	Ucb max	Uce max	Ueb max	Ic max	Tj max, °C	Ft max	Cc tip	Hfe
200W	40V	40V	5V	50A	200°C	4MHz	-	15/60

---------------------------------------------

Основные параметры транзистора 2N4291 биполярного высокочастотного p-n-p.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: pnp

Pc max	Ucb max	Uce max	Ueb max	Ic max	Tj max, °C	Ft max	Cc tip	Hfe
250mW	40V	30V	5V	600mA	150°C	100MHz		100MIN