Полупроводниковые индикаторы (ППИ).
Физической основой ППИ является инжекционная электролюминесценция, наиболее характерно проявляющаяся в прямозонных тройных соединениях GaAsP и GaAlAs и в непрямозонном GaP.
Разработаны и успешно используются несколько конструкций полупроводниковых индикаторов (рис. 2). В миниатюрном монолитном индикаторе сегменты создаются методом фотолитографии на GaAsP-кристалле с типичным размером 2x3 мм. Наборы таких кристаллов образуют индикаторы электронных наручных часов. Широко распространена гибридная конструкция, в которой каждый сегмент представляет собой отдельный излучающий кристалл; все сегменты монтируются на керамическое основание и опрессовываютея пластмассой. Высокая яркость свечения светодиодных кристаллов позволяет использовать различные способы увеличения изображения: в многоразрядных монолитно-гибридных индикаторах для этой цели служит пластмассовая моноблочная линза; в конструкции со световодами кристаллы помещают в основании конически расширяющихся прорезей в пластмассовом основании. Крупноформатные полупроводниковые индикаторы группового пользования (с размерами цифр около 100 мм) набирают из дискретных светодиодов с увеличенной площадью свечения каждого.
|
|
Рис. 8.2. Полупроводниковые индикаторы:
а — монолитный бескорпусиой (А1 — контактная металлизация; р — светящиеся р-области; я — кристалл GaAsP); б —внешний вид и разрез 8-разрядного монолитио-гибри ного индикатора для калькуляторов (7 — металлизированная плата; 2 — кристалл с семисегментным рисунком; S— полимерная моноблочная крышка с линзами); в — внешний вид и разрез гибридного индикатора (/ — кристалл-светодиод; 2 — пластмассовый корпус со светопроводами)