Память с расслоением

Используется для повышения производительности.

Параллелизм обращения к микросхемам банка памяти:

Каждый банк памяти содержит слова, которые имеют адреса вида

K*N+i, где 0<K<M-1 (M – количество слов в банке памяти).

Можно достичь в N раз > производительности (при пакетном режиме) путём одновременного считывания из N банков памяти.

Использование специфических свойств динамической памяти

Контроллер памяти к какому-либо элементу делит адрес на адрес стройки и адрес столбцы. При этом при обращении к строке происходит буферизация битов всей строки, прежде чем произошло обращение к столбцу. В результате при обращении к первому элементу берётся адрес строки и столбца, к следующему – только адрес столбца. ® ум-е времени доступа ® ув-е производительности.

3 режима работы:

1) Блочный.

На 1 обращение к строке выдаётся 4 обозначения столбца.

2) Страничный.

Память при подаче строба строки работает как статический буфер. ® Адрес столбца обновляется или после подачи строба строки или после подачи импульса регенерации.

3) Режим статического столбца.

В отличие от страничного нет необходимости переключать строб адреса столбца.

Микросхемы памяти, где реализуется страничный режим, можно описать по следующей формуле:

x – y – y – y, где

x – количество тактов системной шины, необходимое для доступа к 1-й ячейке последовательности.

y - количество тактов системной шины, необходимое для доступа к последующим ячейкам последовательности.