2017-12-14
733
В случае однозатворного КНИ прибора в работе [6] показано, что уравнение Пуассона может быть записано в виде
, (8.11)
где
. (8.12)
Здесь 
− потенциал поверхности полупроводника; 
− напряжение на затворе 
минус напряжение плоских зон затвора 
,
. (8.13)
Данное уравнение имеет решение вида 
, где 
− параметр, который представляет распределение электрического потенциала в направлении x (проникновение поля стока/истока в канал). Отметим, что 
отличается от 
только членом, не зависящим от x. Параметр называется «характерной (natural) длиной» прибора [1]. Он зависит от толщины подзатворного оксида и толщины слоя кремния. Чем тоньше подзатворный оксид и/или слой кремния, тем меньше характерная длина, и, отсюда, влияние электрического поля стока на область канала. Численное моделирование показывает, что во избежание ККЭ эффективная длина канала МОП-транзистора должна быть больше чем в 5-10 раз характерной длины.
