В случае однозатворного КНИ прибора в работе [6] показано, что уравнение Пуассона может быть записано в виде
, (8.11)
где
. (8.12)
Здесь − потенциал поверхности полупроводника; − напряжение на затворе минус напряжение плоских зон затвора ,
. (8.13)
Данное уравнение имеет решение вида , где − параметр, который представляет распределение электрического потенциала в направлении x (проникновение поля стока/истока в канал). Отметим, что отличается от только членом, не зависящим от x. Параметр называется «характерной (natural) длиной» прибора [1]. Он зависит от толщины подзатворного оксида и толщины слоя кремния. Чем тоньше подзатворный оксид и/или слой кремния, тем меньше характерная длина, и, отсюда, влияние электрического поля стока на область канала. Численное моделирование показывает, что во избежание ККЭ эффективная длина канала МОП-транзистора должна быть больше чем в 5-10 раз характерной длины.