Другие многозатворные МОП-структуры

Инвертированный Т-канальный полевой транзистор (ITFET) представляет собой комбинацию тонкопленочного планарного КНИ МОПТ прибора с трехзатворным транзистором (рис.8.8.А). Он содержит планарные горизонтальные каналы и вертикальные каналы в одном приборе и осуществляет многозатворный контроль этих каналов. Инвертированная Т-канальная структура имеет несколько преимуществ: большая база предотвращает выход из строя плавников в течение технологического процесса; также она использует пространство между плавниками, которое остается неиспользованным в других многозатворных конфигурациях. Эти дополнительные каналы увеличивают рабочий ток. Численное моделирование n -канального ITFET выявило различные включающие механизмы в разных частях прибора. Углы транзистора включаются первыми, за ними следуют поверхности планарных областей и вертикальный канал. Так как каждый ITFET имеет восемь угловых элементов, они создают значительную часть тока каждого ITFET прибора и в хорошо спроектированных приборах могут выдавать значительно бòльшие токи, чем планарный прибор эквивалентной площади.

Рис. 8.8. Поперечное сечение A − инвертированного T-канального полевого транзистора ITFET; B − объемного FinFET; С − многоканального полевого транзистора McFET.

Объемный FinFET транзистор – это FinFET, выполненный в объемном кремнии вместо КНИ подложки. Плавники вытравливаются в объемном кремнии и профилируются на этапе окисления. Полевой слой оксида (FOX) осаждается, чтобы избежать инверсии между плавниками (рис.8.8.В). Многоканальный полевой транзистор (McFET) – это модифицированный объемный FinFET, где в центре плавника травится канавка. Канавка заполняется наращиванием подзатворного оксида и осаждением материала затвора. Получается прибор, имеющий два очень тонких соседних плавника, идущих от истока к стоку (рис.8.8С).

Физика многозатворного МОП-транзистора