Влияние кристаллографии

Предыдущие разделы были посвящены пониманию квантования инверсионного слоя с определенной ориентацией кристалла кремния, а именно (100). В этом разделе рассмотрено влияние кристаллографических ориентаций подложки, таких как (100), (110) и (111), на квантование инверсного слоя в наноразмерных МОП-транзисторах. Результаты показывают значительное влияние ориентации кристалла на плотность инверсного заряда.

Энергетические подзоны слоя инверсии поднимаются на разную величину, потому что эффективные массы квантованных электронов различны в трех направлениях, как показано на рис. 9.8. Решение уравнений проведено для различных кристаллографических координат, используя параметры, приведенные в таблице 9.1.

Табл.9.1 Изменение квантования электронов в зависимости от ориентации кристалла в кремниевой подложке [3]

Ориентация кристалла	Эффективная поперечная масса , - масса свободного электрона
	0,916
	0,315
	0,258