Студопедия


Авиадвигателестроения Административное право Административное право Беларусии Алгебра Архитектура Безопасность жизнедеятельности Введение в профессию «психолог» Введение в экономику культуры Высшая математика Геология Геоморфология Гидрология и гидрометрии Гидросистемы и гидромашины История Украины Культурология Культурология Логика Маркетинг Машиностроение Медицинская психология Менеджмент Металлы и сварка Методы и средства измерений электрических величин Мировая экономика Начертательная геометрия Основы экономической теории Охрана труда Пожарная тактика Процессы и структуры мышления Профессиональная психология Психология Психология менеджмента Современные фундаментальные и прикладные исследования в приборостроении Социальная психология Социально-философская проблематика Социология Статистика Теоретические основы информатики Теория автоматического регулирования Теория вероятности Транспортное право Туроператор Уголовное право Уголовный процесс Управление современным производством Физика Физические явления Философия Холодильные установки Экология Экономика История экономики Основы экономики Экономика предприятия Экономическая история Экономическая теория Экономический анализ Развитие экономики ЕС Чрезвычайные ситуации ВКонтакте Одноклассники Мой Мир Фейсбук LiveJournal Instagram

Модели биполярных транзисторов




Транзистор– полупроводниковый прибор для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний, выполненный на основе монокристаллического полупроводника (преимущественно Si или Ge), содержащего не менее трех областей с различной – электронной (n) и дырочной (p) – проводимостью.

Модели биполярных транзисторов p-n-p- и n-p-n-типов хранятся в библиотеках BIPOLAR и EBIPOLAR и имеют вид, представленный на рисунке 23. Например, в библиотеках EBIPOLAR хранятся символы моделей транзисторов n-p-n-типа BC107F, BC107B, BC108A, BC108B, которые применяются в малосигнальных усилителях, а модели транзисторов BC109B и BC109C применяются в малошумящих усилителях. Малосигнальные модели мощных биполярных транзисторов хранятся в библиотеке PWRBJT.

 

а б

 

 

Рисунок 23 – Модели транзисторов: аp-n-p-типа; бn-p-n-типа

 

Модели биполярных транзисторов имеют следующие основные параметры:

• IB (Max base current) – максимальный ток базы;

• IC (Max collector current) – максимальный ток коллектора;

• VCB (Max C-E voltage) – максимальное напряжение коллектор-базы;

• VCE (Max C-E voltage) – максимальное напряжение коллектор-эмиттера;

• VEB (Max E-B voltage) – максимальное напряжение эмиттер-базы;

• PDM (Max par dissipation) – максимальная мощность, рассеиваемая коллектором транзистора;

• TJ (Max junction temp) – максимальная температура поверхности прибора).

В таблице 3 приведены основные параметры некоторых биполярных транзисторов.

Таблица 3

Основные параметры биполярных транзисторов

 

Тип Транзистор
BC107A BC108A BC177 BC179B 2N3055 2N4918
n-p-n n-p-n p-n-p p-n-p n-p-n p-n-p
IB неопр. неопр. неопр. неопр. 7 А 7 А
IC 0,2 A 0,2 A 0,2 A 0,2 A 15 A 3 A
VCB 50 V 30 V 50 V 25 V 100 V 40 V
VCE 45 V 25 V 45 V 20 V 60 V 40 V
VEB 6 V 5 V 5 V 5 V 7 V 5 V
PDW 1 W 1 W 1 W 1 W 115 W 30 W

Литература

3.1. Основная литература

1. Павлов В. Н. Ногин В. Н. Схемотехника аналоговых электронных устройств: [Учебник для вузов. Рекомендовано МО РФ]. М.: Горячая линия-Телеком, 2005. 320 с.

2. Волович Г. И. Схемотехника аналоговых и аналого-цифровых электронных устройств. М.: ИД "Додэка-XXI", 2007. 527 с.

3. Каплан Д., Уайт К. Практические основы аналоговых и цифровых схем / Пер. с англ. М.: Техносфера, 2006. 174 с.

4. Наундорф У. Аналоговая электроника. Основы, расчет, моделирование / Пер. с нем. М.: Техносфера, 2008. 472 с. + CD-ROM.




5. Хоровиц П. Искусство схемотехники / Пер. с англ. М.: Мир, 2003. 704 с.

6. Миловзоров О. В. Электроника / [Учебник для вузов. Допущено МО РФ]. М.: Высш. шк., 2006. 287 с.

3.2. Дополнительная литература

1. Муромцев Ю. Л. Информационные технологии проектирования радиоэлектронных средств: Учебное пособие для вузов / Ю. Л. Муромцев, Д. Ю. Муромцев, И. В. Тюрин, Н. А. Кольтюков, О. А. Белоусов. М.: Академия, 2010.

2. Немудров В., Мартин Г. Системы-на-кристалле. Проектирование и развитие. М.: Техносфера, 2008. 212 с.

3. Опадчий Ю. Ф. Аналоговая и цифровая электроника (полный курс): Учебник для вузов по специальности "Проектирование и технология радиоэлектронных средств" / Ю. Ф. Опадчий, О. П. Глудкин, А. И. Гуров; под ред. О. П. Глудкина. М.: Горячая линия-Телеком, 2005. 768 с.

 

Приложение 1





Дата добавления: 2017-12-14; просмотров: 462; Опубликованный материал нарушает авторские права? | Защита персональных данных | ЗАКАЗАТЬ РАБОТУ


Не нашли то, что искали? Воспользуйтесь поиском:

Лучшие изречения: При сдаче лабораторной работы, студент делает вид, что все знает; преподаватель делает вид, что верит ему. 9169 - | 7244 - или читать все...

 

35.171.146.16 © studopedia.ru Не является автором материалов, которые размещены. Но предоставляет возможность бесплатного использования. Есть нарушение авторского права? Напишите нам | Обратная связь.


Генерация страницы за: 0.002 сек.