Модели биполярных транзисторов

Транзистор – полупроводниковый прибор для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний, выполненный на основе монокристаллического полупроводника (преимущественно Si или Ge), содержащего не менее трех областей с различной – электронной (n) и дырочной (p) – проводимостью.

Модели биполярных транзисторов p-n-p- и n-p-n- типов хранятся в библиотеках BIPOLAR и EBIPOLAR и имеют вид, представленный на рисунке 23. Например, в библиотеках EBIPOLAR хранятся символы моделей транзисторов n-p-n- типа BC107F, BC107B, BC108A, BC108B, которые применяются в малосигнальных усилителях, а модели транзисторов BC109B и BC109C применяются в малошумящих усилителях. Малосигнальные модели мощных биполярных транзисторов хранятся в библиотеке PWRBJT.

 

а б

 

 

Рисунок 23 – Модели транзисторов: а – p-n-p- типа; б – n-p-n- типа

 

Модели биполярных транзисторов имеют следующие основные параметры:

• IB (Max base current) – максимальный ток базы;

• IC (Max collector current) – максимальный ток коллектора;

• VCB (Max C-E voltage) – максимальное напряжение коллектор-базы;

• VCE (Max C-E voltage) – максимальное напряжение коллектор-эмиттера;

• VEB (Max E-B voltage) – максимальное напряжение эмиттер-базы;

• PDM (Max par dissipation) – максимальная мощность, рассеиваемая коллектором транзистора;

• TJ (Max junction temp) – максимальная температура поверхности прибора).

В таблице 3 приведены основные параметры некоторых биполярных транзисторов.

Таблица 3

Основные параметры биполярных транзисторов

 

Тип	Транзистор
BC107A	BC108A	BC177	BC179B	2N3055	2N4918
n-p-n	n-p-n	p-n-p	p-n-p	n-p-n	p-n-p
IB	неопр.	неопр.	неопр.	неопр.	7 А	7 А
IC	0,2 A	0,2 A	0,2 A	0,2 A	15 A	3 A
VCB	50 V	30 V	50 V	25 V	100 V	40 V
VCE	45 V	25 V	45 V	20 V	60 V	40 V
VEB	6 V	5 V	5 V	5 V	7 V	5 V
PDW	1 W	1 W	1 W	1 W	115 W	30 W

Литература

3.1. Основная литература

1. Павлов В. Н. Ногин В. Н. Схемотехника аналоговых электронных устройств: [Учебник для вузов. Рекомендовано МО РФ]. М.: Горячая линия-Телеком, 2005. 320 с.

2. Волович Г. И. Схемотехника аналоговых и аналого-цифровых электронных устройств. М.: ИД "Додэка-XXI", 2007. 527 с.

3. Каплан Д., Уайт К. Практические основы аналоговых и цифровых схем / Пер. с англ. М.: Техносфера, 2006. 174 с.

4. Наундорф У. Аналоговая электроника. Основы, расчет, моделирование / Пер. с нем. М.: Техносфера, 2008. 472 с. + CD-ROM.

5. Хоровиц П. Искусство схемотехники / Пер. с англ. М.: Мир, 2003. 704 с.

6. Миловзоров О. В. Электроника / [Учебник для вузов. Допущено МО РФ]. М.: Высш. шк., 2006. 287 с.

3.2. Дополнительная литература

1. Муромцев Ю. Л. Информационные технологии проектирования радиоэлектронных средств: Учебное пособие для вузов / Ю. Л. Муромцев, Д. Ю. Муромцев, И. В. Тюрин, Н. А. Кольтюков, О. А. Белоусов. М.: Академия, 2010.

2. Немудров В., Мартин Г. Системы-на-кристалле. Проектирование и развитие. М.: Техносфера, 2008. 212 с.

3. Опадчий Ю. Ф. Аналоговая и цифровая электроника (полный курс): Учебник для вузов по специальности "Проектирование и технология радиоэлектронных средств" / Ю. Ф. Опадчий, О. П. Глудкин, А. И. Гуров; под ред. О. П. Глудкина. М.: Горячая линия-Телеком, 2005. 768 с.

 

Приложение 1