Блокувальний пристрій дверцят камери

1 2 3 4 5 6 7

П Донбаський державний технічний університет

Кафедра електричних машин та апаратів

Методичні вказівки

до виконання лабораторних робіт з дисциплін

«Електротехнічні матеріали»

«Електроматеріалознавство»

(для студентів електротехнічних спеціальностей)

Затверджено

на засіданні кафедри

«Електричні машини та апарати»

Протокол № __ від __ 2006

Рекомендовано

до друку на засіданні метод. ради ДонДТУ

Протокол № ___ від ___ 2006

Алчевськ 2006

УДК 621.315.6 (076.5)

Методичні вказівки до виконання лабораторних робіт з дисциплін «Електротехнічні матеріали» та «Електроматеріалознавство»(для студентів електротехнічних спеціальностей) / Укл. В.Г.Стройников. - Алчевськ: ДонДТУ, 2006. - 66 с.

У лабораторних роботах відображені стандартні методи випробувань властивостей електротехнічних матеріалів, приведені принципові електричні схеми випробувальних стендів, опис високовольтних пристроїв та заходи по безпечному їх застосуванню.

Укладач В.Г. Стройников, ст. викл.

Відповідальний за випуск М.М. Заблодський, доц.,

завідувач кафедри ЕМА

Відповідальний редактор О.П. Овчар, доц.

ЗМІСТ

1 Лабораторна робота 1………………………………….................4

2 Лабораторна робота 2……………………………………………13

3 Лабораторна робота 3…………………………………………….23

4 Лабораторна робота 4…………………………………………….36

5 Лабораторна робота 5…………………………………………….45

6 Лабораторна робота 6…………………………………………….58

Лабораторна робота 1

Дослідження електричних характеристик твердих діелектриків на випрямленій напрузі

Ціль роботи

1.1 Визначити значення питомого об'ємного (р_ν), питомого поверхневого (p_s) опорів для ряду твердих діелектриків і їхню залежність від величини прикладеної напруги.

1.2 Визначити активну потужність (Р_а), яка розсіюється у твердому діелектрику, на випрямленій напрузі.

У результаті виконаної роботи студент повинний:

знати — явище електропровідності і фактори, що визначають її у твердих діелектриках: фізичний зміст і практичну значимість питомого об'ємного (р_ν) і питомого поверхневого (p_s) опорів, опору ізоляції (R_із). залежність їх від величини прикладеної напруги, структури і хімічного складу діелектриків, стану їхньої поверхні; фізичний зміст і причини виникнення діелектричних втрат; заходи щодо стабілізації опору ізоляції і діелектричних утрат, а також основні властивості, область застосування, переваги і недоліки випробовуваних твердих діелектриків;

уміти - правильно і безпечно визначати питомі опори твердих діелектриків стандартним методом, правильно вибрати матеріал діелектриків для конкретного застосування.

2 Пояснення до роботи

Іспити на електропровідність твердих діелектриків проводяться на кенотронній установці, вбудованої в лабораторний стенд. Принципова схема для визначення питомих опорів твердих діелектриків приведена на рисунку 2.1.

де 1 - кенотронна установка;

2 - блок максимального токового захисту;

3 - камера для іспиту твердих діелектриків з набором електро-дів;

блокувальний пристрій дверцят камери.

Рисунок 2.1- Принципова схема для визначення питомих опорів твердих діелектриків

До складу схеми входять наступні основні елементи: автоматичний вимикач QF, магнітний пускач КМ, автотрансформатор Т1 (регулятор напруги), катодний трансформатор Т2. високовольтний трансформатор ТЗ, кенотрон VD (випрямляч), блок максимального токового захисту (2), кнопки SB1 і SB2 для включення і відключення магнітного пускача КМ, контакти КА реле максимального токового захисту, кіловольтметр PV, сигнальні лампи HL1 і HL2, елементи, що обмежують: резистор RR, ємність С. розрядники FV1 і FV2, мікроамперметри РА1 і РА2 (для виміру струму витоку), що підключаються в схему кнопками SB4 і SB5, набір електродів (два циліндричних, один охоронний кільцевий), розміщені в іспитовій камері (3) із блокувальним пристроєм (4) дверцяти іспитової камери — контактами SB3, включеними в ланцюг керування магнітного пускача КМ.

Набір елементів, позначених цифрою (1), складає кенотронну установку.

Розташування електродів на плоскому твердому діелектрику і схеми їхнього підключення для виміру об'ємного і поверхневого струмів витоки приведені на рисунку 2.2 і рисунку 2.3.