2018-01-21
495
1. Побудувати вольт–амперну характеристику діода I=f(U) і визначити статичний і динамічний опори в довільно вибраних точках на її прямій і зворотній робочих ділянках. Результати обчислення записати у таблицю 3.
Таблиця 3
| Пряма ділянка | Зворотна ділянка | ||
| Rст. | Rдин. | Rст. | Rдин. |
| Ом | Ом | Ом | Ом |
2. Зробити висновок, порівнюючи значення опорів діода при його прямому і зворотному включеннях.
Контрольні запитання і завдання
1. Що таке основні і неосновні носії електричного заряду?
2. Яка основна властивість р–n переходу і як впливає на цю властивість зовнішня температура та частота підведеної до р–n переходу напруги?
3 Пояснити характер прямої та зворотної ділянки вольт–амперної характеристики діода.
4. Що таке статичний та динамічний опори діода і як визначаються вони за їх вольт–амперними характеристиками. Зробіть їх порівняння.
5. Назвіть основні експлуатаційні параметри напівпровідникових випрямних діодів.
Вольт–амперна характеристика діода
Лабораторна робота №3
|
|
|
Біполярні транзистори
Мета роботи: дослідження вхідних і вихідних статичних характеристик та перехідної характеристики транзистора в динамічному режимі, увімкненого за схемою зі спільним емітером.
Робоче завдання
1. Побудувати експериментальну модель схеми дослідження транзистора, рис. 1. Тип транзистора Q1 встановити в діалоговому вікні NPN Transistor Properties, (бібліотека nation12) за номером відповідно до номеру прізвища студента в журналі учбової групи.
Примітка:
- діапазонзміни струмів колектора IК і бази IБ та напруги між колектором і емітером UКЕ визначити за основними параметрами транзистора зазначених в діалоговому вікні транзистора, що з’являється за командою Component Properties: коефіцієнтом підсилення за струмом h21E [F], максимально допустимим значенням напруги між колектором та емітером UКЕmах [VA] та максимально допустимим значенням струму колектора ІКmах [IKF];
- процес дослідження транзистора можна виконати, використовуючи опцію Parameter Sweep меню Analysis.
2. Дослідити сімейство вхідних статичних характеристик транзистора IБ = f(UБЕ) при UКЕ = const. Для цього джерелом струму I1 задавати струм бази і виміряти напругу між базою та емітером UБЕ (значення струму бази змінювати в діапазоні 0.1IБmах ÷ IБmах = ІКmах / h21E). Записати виміряні значення у таблицю 1.
| Uke B | Вимірюв. величини | Номер виміру | |||||||||
| IБ, A | … | … | … | … | … | … | … | … | … | … | |
| UБЕ, B | … | … | … | … | … | … | … | … | … | … | |
| IБ, μА | … | … | … | … | … | … | … | … | … | ||
| UБЕ, тВ | … | … | … | … | … | … | … | … | … | ||
| IБ, A | … | … | … | … | … | … | … | … | … | … | |
| UБЕ, B | … | … | … | … | … | … | … | … | … | … |
Таблиця 1
|
|
|
3. Дослідити сімейство вихідних статичних характеристик транзистора IК=f(UКЕ) при IБ = const. Для цього джерелом струму I1 задавати потрібний струм бази транзистора IБ і, змінюючи напругу між колектором і емітером UКЕ за допомогою джерела напруги V1, виміряти струм колектора IК (значення напруги UКЕ змінювати в діапазоні 0.01Ек ÷ Ек). Виміряні значення записати у таблицю 2.
Таблиця 2
| № | IБ, μА | Виміряні величини | Номер виміру | |||||||||
| UКЕ, B | ||||||||||||
| IК, mA | ||||||||||||
На рис. 2 подано діалогове вікно опції Parameter Sweep для дослідження вихідних статичних характеристик.
В діалоговому вікні установлені діапазон зміни напруги між колектором і емітером (0÷30 В) джерелом напруги V1 (ступінь зміни цієї напруги 0.5 В) та номер вузла (нода 1), що визначає спад напруги на додатковому опорі R=0.001 Ом, ввімкненого в коло емітера. Ця напруга пропорційна струму колектора IК, оскільки струм колектора практично дорівнює струму емітера ІК ≈ IЕ.
4. Побудувати експериментальну модель схеми для дослідження перехідної характеристики транзисторав динамічному режимі, рис. 3 (значення опору резистора в колі колектора R1 визначити за умови R1=EК/IКmax).
Примітка: напругу джерела живлення кола колектора V1 вибрати за умови V1=ЕК ≤0.95 UКЕмах відповідно до діючих стандартів: 10.0, 12.0, 12.6, 15.0, 20.0, 24.0, 27.0, 30.0, 40.0, 48.0, 60.0, 80.0, 100.
5. Дослідити перехідну характеристику транзистора IК=f(IБ). Для цього джерелом струму І1 задавати значення струму бази транзистора IБ відповідно до п. 3. Значення струму бази IБ і відповідні їм значення струму колектора IК записати у таблицю 3.
Таблиця 3
| IБ, μА | |||||||||||
| IК, mA |
