double arrow

Технология приготовления и конструкция магниторезисторов

Основными полупроводниковыми материалами для монолитных МР служат кристаллы антимонида индия InSb и арсенида индия InAs, эвтектического сплава InSb-NiSb, обладающих большой подвижностью носителей заряда.

Для увеличения магниторезистивного эффекта выбирают такую конструкцию МР, чтобы уменьшит величину холловской ЭДС напряженности электрического поля. Наилучшей формой МР является диск Корбино. Один электрод в таком МР находится в центре диска, второй расположен по периметру диска. При отсутствии магнитного поля ток течет в радиальном направлении; под действием магнитного поля носители отклоняются перпендикулярно радиусу, но поскольку в такой конструкции нет граней, на которых могли бы накапливаться заряды, ЭДС Холла в таком МР не возникает.

Другой конструкцией МР является пластинка полупроводника, ширина которой много меньше ее длины. Существенным недостатком такой конструкции является ее малое сопротивление, для увеличения которого применяют последовательное соединение нескольких пластин или нанесение металлических полос уменьшающих ЭДС Холла на боковых гранях кристалла полупроводника. Магниточувствительный элемент толщиной ≈10 мкм вытравливается из заготовки толщиной 500-600 мкм и приклеивается к подложке из слюды, пермендюра или пермаллоя.
Ферромагнитные подложки служат концентратором магнитного поля.

Конструкция пленочного МР показана на рис. 8.2.1. Пленка в форме «меандр» толщиной 60 – 100 мкм и шириной дорожки до 100 мкм приклеивают к проводящей подложке. Гибкие проволочные выводы припаяны к контактным площадкам элемента. Весь пакет покрыт защитным слоем лака; максимальная толщина МР с учетом пайки и защитного слоя не превышает 0,8 мм.


Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:  



Сейчас читают про: