double arrow

Основных параметров транзистора по его характеристикам


Лабораторная установка для исследования транзистора схематически изображена на рис. 11.3. Транзистор, измерительные приборы, резисторы с регулируемым сопротивлением (потенциометры) и источники питания (выпрямители) смонтированы на панели.

Из возможных трех различных схем включения транзисторов в электрическую цепь (с общей базой, общим эмиттером, общим коллектором) в данной лабораторной работе использована схема с общим эмиттером как наиболее часто встречающаяся.

 

Рис. 11.3.

 

Для транзистора строится входная и выходная характеристики. Входная характеристика представляет собой зависимость тока базы Iб от напряжения между эмиттером и базой Uбэ при постоянном напряжении на промежутке коллектор-эмиттер Uкэ, т.е.

 

Iб = f(Uбэ) при Uкэ = const (рис. 11.4).

 

 

Рис. 11.4.

 

Выходная характеристика представляет собой зависимость тока коллектора Iк от напряжения на коллекторе относительно эмиттера Uкэ  при неизменном токе базы Iб.

 

Iк = f(Uкэ) при Iб = const.

 

Задавая различные величины сил токов базы ( ), можно получить семейство выходных характеристик (рис. 11.5).

Рис. 11.5.




 

Усилительные свойства транзистора характеризует коэффициент усиления по току b.

при Uкэ = const,                      (11.1)

 

где  изменение  тока  базы,  вызвавшее  соответствующее измене-

            ние тока коллектора на величину DIк.

Величина b может достигать значений 102 и более. Для расчета b используют семейство выходных характеристик. Для этого в рабочей области характеристики транзистора, где она идет почти линейно под небольшим углом к оси напряжений Uкэ, определяют при некотором напряжении Uкэ = const изменение тока DIк, соответствующее переходу с характеристики, снятой при , к характеристике, снятой при  (рис. 11.5). Изменение тока базы = .

Используя одну из выходных характеристик, определяют выходное сопротивление транзистора:

 

при Iб = const,                    (11.2)

 

где – разность  токов  коллектора при изменении в пределах

            линейной области характеристики транзистора.

По входной характеристике на ее линейном участке (см. рис. 11.5) рассчитывается параметр Rвх, называемый входным сопротивлением транзистора:

.                                (11.3)







Сейчас читают про: