Основных параметров транзистора по его характеристикам

Лабораторная установка для исследования транзистора схематически изображена на рис. 11.3. Транзистор, измерительные приборы, резисторы с регулируемым сопротивлением (потенциометры) и источники питания (выпрямители) смонтированы на панели.

Из возможных трех различных схем включения транзисторов в электрическую цепь (с общей базой, общим эмиттером, общим коллектором) в данной лабораторной работе использована схема с общим эмиттером как наиболее часто встречающаяся.

 

Рис. 11.3.

 

Для транзистора строится входная и выходная характеристики. Входная характеристика представляет собой зависимость тока базы I б от напряжения между эмиттером и базой U бэ при постоянном напряжении на промежутке коллектор-эмиттер U кэ, т.е.

 

I б = f (U бэ) при U кэ = const (рис. 11.4).

 

 

Рис. 11.4.

 

Выходная характеристика представляет собой зависимость тока коллектора I к от напряжения на коллекторе относительно эмиттера U кэ  при неизменном токе базы I б.

 

I к = f (U кэ) при I б = const.

 

Задавая различные величины сил токов базы (), можно получить семейство выходных характеристик (рис. 11.5).

Рис. 11.5.

 

Усилительные свойства транзистора характеризует коэффициент усиления по току b.

при U кэ = const,                      (11.1)

 

где  изменение  тока  базы,  вызвавшее  соответствующее измене-

            ние тока коллектора на величину D I к.

Величина b может достигать значений 102 и более. Для расчета b используют семейство выходных характеристик. Для этого в рабочей области характеристики транзистора, где она идет почти линейно под небольшим углом к оси напряжений U кэ, определяют при некотором напряжении U кэ = const изменение тока D I к, соответствующее переходу с характеристики, снятой при , к характеристике, снятой при  (рис. 11.5). Изменение тока базы = .

Используя одну из выходных характеристик, определяют выходное сопротивление транзистора:

 

при I б = const,                    (11.2)

 

где – разность  токов  коллектора при изменении в пределах

            линейной области характеристики транзистора.

По входной характеристике на ее линейном участке (см. рис. 11.5) рассчитывается параметр R вх, называемый входным сопротивлением транзистора:

.                                (11.3)


Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:  



double arrow
Сейчас читают про: