Лабораторная установка для исследования транзистора схематически изображена на рис. 11.3. Транзистор, измерительные приборы, резисторы с регулируемым сопротивлением (потенциометры) и источники питания (выпрямители) смонтированы на панели.
Из возможных трех различных схем включения транзисторов в электрическую цепь (с общей базой, общим эмиттером, общим коллектором) в данной лабораторной работе использована схема с общим эмиттером как наиболее часто встречающаяся.
Рис. 11.3.
Для транзистора строится входная и выходная характеристики. Входная характеристика представляет собой зависимость тока базы I б от напряжения между эмиттером и базой U бэ при постоянном напряжении на промежутке коллектор-эмиттер U кэ, т.е.
I б = f (U бэ) при U кэ = const (рис. 11.4).
Рис. 11.4.
Выходная характеристика представляет собой зависимость тока коллектора I к от напряжения на коллекторе относительно эмиттера U кэ при неизменном токе базы I б.
I к = f (U кэ) при I б = const.
|
|
Задавая различные величины сил токов базы (), можно получить семейство выходных характеристик (рис. 11.5).
Рис. 11.5.
Усилительные свойства транзистора характеризует коэффициент усиления по току b.
при U кэ = const, (11.1)
где – изменение тока базы, вызвавшее соответствующее измене-
ние тока коллектора на величину D I к.
Величина b может достигать значений 102 и более. Для расчета b используют семейство выходных характеристик. Для этого в рабочей области характеристики транзистора, где она идет почти линейно под небольшим углом к оси напряжений U кэ, определяют при некотором напряжении U кэ = const изменение тока D I к, соответствующее переходу с характеристики, снятой при , к характеристике, снятой при (рис. 11.5). Изменение тока базы = – .
Используя одну из выходных характеристик, определяют выходное сопротивление транзистора:
при I б = const, (11.2)
где – разность токов коллектора при изменении в пределах
линейной области характеристики транзистора.
По входной характеристике на ее линейном участке (см. рис. 11.5) рассчитывается параметр R вх, называемый входным сопротивлением транзистора:
. (11.3)