Студопедия


Авиадвигателестроения Административное право Административное право Беларусии Алгебра Архитектура Безопасность жизнедеятельности Введение в профессию «психолог» Введение в экономику культуры Высшая математика Геология Геоморфология Гидрология и гидрометрии Гидросистемы и гидромашины История Украины Культурология Культурология Логика Маркетинг Машиностроение Медицинская психология Менеджмент Металлы и сварка Методы и средства измерений электрических величин Мировая экономика Начертательная геометрия Основы экономической теории Охрана труда Пожарная тактика Процессы и структуры мышления Профессиональная психология Психология Психология менеджмента Современные фундаментальные и прикладные исследования в приборостроении Социальная психология Социально-философская проблематика Социология Статистика Теоретические основы информатики Теория автоматического регулирования Теория вероятности Транспортное право Туроператор Уголовное право Уголовный процесс Управление современным производством Физика Физические явления Философия Холодильные установки Экология Экономика История экономики Основы экономики Экономика предприятия Экономическая история Экономическая теория Экономический анализ Развитие экономики ЕС Чрезвычайные ситуации ВКонтакте Одноклассники Мой Мир Фейсбук LiveJournal Instagram

Порядок выполнения работы




Прежде чем приступать к выполнению работы, следует внимательно рассмотреть передние панели используемых приборов и уяснить назначение ручек управления. В данной работе исследуются характеристики кремниевого сплавного диода Д226 и германиевого сплавного p-n-p-транзистора МП26.

З а д а н и е 1. Исследовать переходные характеристики диода при включении и выключении прямого тока, определить начальное rб0 и конечное rб уст значения сопротивления базы, время жизни неравновесных носителей в базе tp.

Установить с помощью переключателя S1 макета R2=50кОм. Подсоединить выход генератора Г5-54 и вход канала 1 осциллографа к входным клеммам макета, вход канала 2 осциллографа подсоединить к выходным клеммам макета. Установить режим внешней синхронизации осциллографа от генератора. Установить: длительность импульса – 5мкс, полярность – положительная, временной сдвиг – 0…I мкс, частота повторения – 10 кГц, масштаб по оси “x” – 5 мкс/см. Масштабы по оси “y”выбираются в соответствии с измеряемыми напряжениями. Установить амплитуду импульса Е2=20В, контролируя ее осциллографом.

Зарисовать осциллограмму напряжения на диоде, указав масштабы по осям напряжения и времени.

По осциллограмме определить требуемые параметры: rб0, rб уст (см.ф-лу 1), tp (см.ф-лу 4).

Примечание. При нахождении параметров удобнее производить отсчет непосредственно с экрана осциллографа, выбирая нужный участок осциллограммы, оптимальную чувствительность и скорость развертки осциллографа.

З а д а н и е 2. Зарисовывать осциллограммы напряжения и тока диода при переключении из прямого направления на обратное, определить амплитуды прямого и обратного тока (I1,I2) и длительность плоской вершины обратного тока tр. Сравнить экспериментальные значения tр с рассчитанными по формуле (5) по значению tp, найденному в Задании 1.

Режим работы генератора Г5-54 – такой же, как и в задании 1 (устанавливается при R2=50 кОм). Подсоединить макет к сети постоянного тока 12 В с помощью специального разъема. Установить сопротивление в цепи обратного смещения диода Rд = 10 кОм. Снять осциллограммы для двух значений Rг=5 кОм и Rг=2 кОм, установив масштаб по оси “x” – 2 мкс/см.

Примечание. Обратить особое внимание на правильность расположения осей координат на осциллограммах напряжения. Напряжение на токоснимающем сопротивлении измеряется при переключении S4 в нижнее положение, напряжение 0,1 В соответствует току 1 мА.

З а д а н и е 3. В схеме с общим эмиттером исследовать переходные характеристики транзистора при большом входном сигнале. Найти ток базы Iбн, соответствующий границе режима насыщения, и снять зависимости времени задержки фронта tзф, длительности фронта tф, времени рассасывания tр и времени среза tс для двух значений степени насыщения: S=10 и S=20. Зарисовать одну из осциллограмм напряжения на коллекторе.




3.1. Установить длительность отпирающего импульса – 50 мкс, полярность выходного импульса и импульса синхронизации – отрицательная, частота повторения – 10 кГц, временной сдвиг – 0-1 мкс. Установить на макете сопротивление генератора R2=50 кОм, сопротивление нагрузки Rк = 10 кОм. Установить нулевую линию каналов 1 и 2 осциллографа в верхней части экрана, скорость развертки – 10 мкс/см, масштаб по оси “y” канала 2 – 2 В/см, канала 1 – 0,5 В/см.

Регулируя амплитуду отпирающего импульса, получить осциллограмму напряжения на коллекторе, характерную для ключевого режима. Уменьшая амплитуду импульса, добиться исчезновения задержки напряжения на коллекторе после окончания импульса (т.е. tр=0). Ток базы при этом соответствует граничному значению Iбн. Измерить амплитуду импульса и вычислить Iбн.

3.2. Установить длительность отпирающего импульса – 5 мкс, скорость развертки – 5 мкс/см, масштаб по оси “y” канала 1 – 2 В/см. Переключить S1 в положение R2=5 кОм, ток базы при этом увеличится в 10 раз (Iб1=10 Iбн), что соответствует S=10.

Зарисовать осциллограммы отпирающего импульса и напряжения на коллекторе.

Измерить характерные времена задержки tзф, tф, tр, tс. Измерение времен следует проводить с максимально возможной точностью, выбирая соответствующую длительность развертки.

3.3. Увеличить амплитуду отпирающего импульса в 2 раза (S=20). Повторить измерения tзф, tф, tр, tс.



3.4. Из полученных экспериментальных данных вычислить параметры В(см.ф-лу 8.а.), tоэ (см.ф-лу 15), (см.ф-лу 14) (см.ф-лу 20).

 

Экспериментальные результаты оформляются в виде таблицы

 

Iб1, мА S tзф, мкс tф, мкс tр, мкс tc, мкс tоэ
                 
                 

Содержание отчета

Отчет по лабораторной работе должен содержать:

1. Исследуемые схемы включения диода и транзистора.

2. Осциллограммы напряжения и тока диода и рассчитанные параметры согласно заданиям 1 и 2.

3. Типичную осциллограмму напряжения на коллекторе в ключевом режиме работы.

4. Таблицу экспериментальных данных по заданию 3.

5. Выводы по каждому заданию.

 

Вопросы для самоконтроля.

1. Какие физические процессы определяют переходные характеристики диода и транзистора в импульсном режиме?

2. Как по осциллограмме напряжения на диоде найти сопротивление базы и время жизни носителей базы?

3. Что понимают под временем установления прямого напряжения диода?

4. Нарисуйте осциллограммы напряжения и тока диода в режиме переключения. Как изменяются осциллограммы при уменьшении сопротивления в цепи обратного смещения диода?

5. Чем отличаются режимы работы транзистора при малой и большой амплитуде импульса входного сигнала?

6. Что понимают под временем включения и временем выключения транзистора?

7. Как найти ток базы Iбн , соответствующей границе режима насыщения?

8. Как определить коэффициент передачи тока в режиме большого сигнала?

9. Как зависят длительность фронта, время рассасывания и время спада от амплитуды отпирающего импульса тока базы? Как по этим зависимостям найти эквивалентную постоянную времени , среднее время жизни носителей  и усредненную емкость коллекторного перехода ?

 

ЛИТЕРАТУРА

1. Аваев Н.А., Шишкин Г.Г. Электронные приборы: Учебник для вузов / Под ред. Г.Г. Шишкина. – М.: Изд-во МАИ, 1996, с.187-194.

2. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учеб. Пособие для вузов. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2001, с.384-303.





Дата добавления: 2018-02-14; просмотров: 221; Опубликованный материал нарушает авторские права? | Защита персональных данных | ЗАКАЗАТЬ РАБОТУ


Не нашли то, что искали? Воспользуйтесь поиском:

Лучшие изречения: Студент - человек, постоянно откладывающий неизбежность... 9989 - | 7140 - или читать все...

 

3.85.143.239 © studopedia.ru Не является автором материалов, которые размещены. Но предоставляет возможность бесплатного использования. Есть нарушение авторского права? Напишите нам | Обратная связь.


Генерация страницы за: 0.004 сек.