Тестирование транзисторов

В общем тестирование транзисторов аналогично тестированию диодов, так как саму структуру транзистора p - n -р или п-р-п можно при проверке представить как два диода (рис. 8.2), с соединенными вместе либо выводами катода, либо анода, представляющими собой вывод базы транзистора. При тестировании ЦММ прямое напряжение на переходе исправного транзистора составит 0,45...0,9 В.

Дополнительно следует проверять сопротивление (падение напряжения) между коллектором и эмиттером, которое для исправного транзистора должно быть определено как очень большое, за исключением описанных ниже особенностей. Однако есть свои особенности и при проверке транзисторов. Н а них мы и остановимся подробнее.

Одной из особенностей является наличие у некоторых типов мощных. транзисторов встроенного демпферного диода, который включен между коллектором и эмиттером, а также резистора номиналом около 50 Ом между базой и эмиттером. Это характерно в первую очередь для транзисторов выходных каскадов строчной развертки. Из-за этих дополнительных элементов нарушается обычная картина тестирования транзисторов. При проверке таких транзисторов следует сравнивать проверяемые параметры с такими же параметрами заведомо исправного однотипного транзистора. При проверке ЦММ транзисторов с резистором в цепи база-эмиттер напряжение на переходе Б-Э будет близким или равным 0 В.

Другими "особенными" транзисторами являются транзисторы, включенные по схеме Дарлингтона (составные транзисторы). Внешне они выглядят как обычные,

Тестирование цифровых транзисторов затруднено. И если с помощью АММ можно наблюдать отличия в прямом и обратном сопротивлениях переходов, то проверка с помощью ЦММ результатов не дает. В этом случае лучший вариант при сомнениях в работоспособности — замена на заведомо исправный транзистор.