6.1 Построить графики статических входных (базовых) и выходных (коллекторных) характеристик на основании данных таблиц 6 и 7.
Примерный вид входной и выходной характеристик представлен на рисунках 9, 10 и 12. Показано построение характеристических треугольников и получение приращений токов и напряжений DI и DU.
6.2 Определение параметров транзистора
- Определение параметра h 11.
Для определения параметра h 11 на средине линейного участка входной характеристики, соответствующей напряжению U КЭ = 5В, построить характеристический треугольник. Вершины треугольника должны совпадать со значениями в таблице 5 (100 и 60 мкА).
h 11 = D U БЭ / D I Б [кОм].
- Определить входное сопротивление транзистора постоянному току
R ВХ = U БЭ/ I Б для точки I Б = 60 мкА, U КЭ = 5В, t = 27ºС.
- Определить параметр h 22 при токе I Б = 60 мкА.
На линейном участке выходной характеристики, соответствующей току базы I Б = 60 мкА, построить прямоугольный треугольник, одна вершина совпадает с
мкА I Б мА I К I Б =100 мкА
напряжением 15 В, другая - с напряжением 5В. D U КЭ = (15 – 5)В = 10В.
Второй катет треугольника спроецировать на ось тока коллектора и аналогично определить D I К
19
h 22 = DI К /DU КЭ [Сим].
|
- Определить сопротивление коллекторной цепи транзистора постоянному току для точки U КЭ = 5 В и I б = 60мкА (*)
R i = U КЭ/ I К [кОм].
- Определить параметр h 21 при U КЭ = 5 В.
Для этого при напряжении на коллекторе, равным 5 В, провести вертикальную прямую линию. Отметить точки пересечения линии с характеристиками, соответствующими I Б = 100 мкА и I Б = 60 мкА. D I Б = 100 – 60 = 40мкА.
Спроецировать точки на ось тока коллектора, получим токи I к1 и I к2.
D I К = I к2 – I к1
h 21 = D I К / D I Б.
- Определить параметр h 12
h 12 = D U БЭ / D U КЭ.
D U КЭ = 5 В, D U БЭ определяется по данным таблицы 6.
Полученные значения h -параметров поместить в таблицу 8.
Табл. 8. Экспериментальные параметры транзистора.
h -параметры | h 11 (Ом) | h 12 << 1 | h 21 >> 1 | h 22 (Сим) | r*K |
Значение |
7. Содержание отчета
Отчет по работе должен содержать следующие разделы:
·цель работы;
·схема исследования;
·таблицы с результатами измерений;
·графики входных и выходных характеристик;
·расчет h -параметров транзистора;
·выводы по результатам работы.
Контрольные вопросы
8.1 Что такое «биполярный транзистор»?
8.2 Объясните принцип действия биполярного транзистора.
8.3 Перечислите схемы включения транзистора.
8.4 Назовите режимы работы транзистора и области их применения.
8.5 Назовите основные статические характеристики транзистора и дайте им определение.
8.6 Запишите уравнение, связывающее ток коллектора с током базы в нормальном активном режиме.
8.7 Что такое «статический коэффициент передачи тока базы».
20
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 8
РЕЖИМ РАБОТЫ ТРАНЗИСТОРА ПО ПОСТОЯННОМУ ТОКУ
Цель работы
Изучить режим работы биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. Определить параметры усилительного каскада на постоянном токе.
2. Подготовка к выполнению работы
· Ознакомьтесь с терминологией и буквенными обозначениями параметров биполярных транзисторов по ГОСТ 20003-74 по справочной литературе.
· Выпишите параметры транзистора, полученные в работе 7.
· Продумайте методику проведения исследований.
· Ответьте на контрольные вопросы.
Расчетная часть
- Скопировать коллекторные характеристики транзистора, полученные при выполнении работы 7 «Статические характеристики и параметры биполярного транзистора».
Величину напряжения Е К выбрать в диапазоне 15 – 20 В.
Ток насыщения I Кнас выбрать вблизи перегиба коллекторной характеристики, снятой при максимальном токе базы.
- Вычислить величину сопротивления в цепи коллектора R К = E K/ I Кнас и выбрать ближайшее большее значение из нормированного ряда Е12
(1; 1,2; 1,5; 2,2; 2,7; 3,3; 3,9; 4,7; 5,6; 6,8; 8,2).
- Провести нагрузочную прямую через две точки I Кнас и E K.
- На нагрузочной прямой выбрать положение рабочей точки при токе базы I 0Б = 60 мкА.
- Выписать значения токов и напряжений, соответствующих выбранному положению рабочей точки U 0К, I 0К, I 0Б.
- Вычислить сопротивление коллекторной цепи транзистора постоянному току для выбранного положения РТ.