Технологія виготовлення транзисторів методом дифузії

 

Напівпровідникова технологія в теоретичному плані розроблена порівняно слабко й у цьому відношенні ще далека від рівня фізики напівпровідників і напівпровідникових приладів. Проте доцільно дати загальне представлення про основні етапи технологічного процесу, оскільки такі зведення можуть сприяти кращому розумінню властивостей, параметрів і особливостей самих приладів.

Одержання й очищення напівпровідників.

Якість напівпровідникових приладів у значній мірі залежить від якості вихідних напівпровідникових матеріалів. Особливу проблему при виготовленні напівпровідників представляє їхнє очищення. Для збереження характерних напівпровідникових властивостей зміст домішки, як правило, повинне лежати в межах до 0,0001%. Однак і ця винятково мала цифра характерна лише для корисної домішки. Зміст сторонніх, а особливо шкідливих домішок повинне бути ще на 1-2 порядки менше.

Ідеальним випадком була би можливість одержання абсолютно чистого - власного напівпровідника, у який потім можна було б додавати необхідну кількість корисної домішки. Практично одержання «сьогодення» власного напівпровідника неможливо, але методи сучасної металургії дозволяють одержати вихідні матеріали з зазначеною вище ступенем чистоти.

Для зменшення часу життя носіїв у колекторних областях іноді проводять дифузію золота з тильної сторони пластини. Введення золота в підкладку сприяє зменшенню коефіцієнта передачі струму бази паразитних транзисторів, завдяки чому помітно послаблюється вплив цих транзисторів. Після формування робочих областей за допомогою фотолітографії витравлюються вікна під контакти (маска 6) і у вакуумі проводять напилювання алюмінієвої плівки на всю поверхню пластини. Видалення алюмінію з тих ділянок, на яких він не потрібний, здійснюється за допомогою наступної фотолітографії.

ВИСНОВКИ

В даній курсові роботі було:

1. Розглянутопринцип роботи pnp-транзистора.

2. Проведено розрахунок електричних параметрів, максимальної робочої частоти, знайдені вихідні характеристики, передаточна характеристика та її крутизна в області насичення за заданими розмірами.

3. До кожного розрахунку розроблено програму мовою програмування     Delphi 6.0.

4. Проведено тепловий розрахунок, в результаті якого було вибрано тип корпусу для транзистора, який приведений на креслені в кінці роботи.

Отже, в даній курсовій роботі було досліджено германієвий дрейфовий транзистор (p-n-p), який має важливе значення в інженерній практиці.

 

 

ПЕРЕЛІК ПОСИЛАНЬ

 

1. Осадчук В.С., Осадчук О.В. «Транзистори». Навчальний посібник - Вінниця: ВДТУ, 2003. – 206 с.

2. Пасінков В.В., Чиркин Л.К. “Полупроводниковые приборы”. – М.: Высш. шк., 1987. – 479 с.

3. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. «Полупроводниковые приборы». – М.: Энергоатомиздат, 1990. – 576 с.

4. Крутякова, Чариков, Юдин «Полупроводниковые приборы и основы их проектирования».

5. Кравченко Ю.С., Смольков Є.О. Методичні вказівки. – Вінниця: ВДТУ, 2001. – 25 с. 

6. Росадо Л. «Физическая електроника и микроелектроника». – М.: Высш. шк., 1991. – 351 с.

7. Васильева Л.Д., Медведенко Б.І., Якименко Ю.І. «Напівпровідникові прилади». – К.: ІВЦ «Видавництво «Політехніка»», 2003. – 388 с.

8. Лапцов «Цифровые устройства на МДП-струкрурах». – М.: Наука, 1972. – 265с.

9. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. «Полупроводниковые приборы». – М.: Энергоатомиздат, 1972. – 265 с.

10.  http://www.krugosvet.ru/enc/nauka_i_tehnika/fizika/TRANZISTOR.html

11.  http://www.salonav.com/Praktika/6.2003/HTM/tranz.htm

12.  www.5ballov.ru