Для выбора типоразмера подложки необходимо найти ее площадь
Sп = qs (SR + SC + SН +SK), где qs = 1,5...2,5 - коэффициент дезинтеграции площади, SR, SC, SН, SK - соответственно площади, занимаемые тонкопленочными резисторами, тонкопленочными конденсаторами, навесными компонентами и контактными площадками. Площади SR и SC находят в результате расчета тонкопленочных элементов, SН - по справочным данным на выбранные компоненты. При расчете площади контактных площадок необходимо учитывать, что внешние контактные площадки выполняются размером 1 ´ 1 мм и более. Размеры внутренних контактных площадок определяются видом монтажного соединения (пайка, сварка), типом применяемого монтажного инструмента, конструкцией выводов навесного компонента (металлизированная поверхность, гибкие проволочные и ленточные выводы и т. д.). При сварке гибких выводов средние размеры контактных площадок 0,2 ´ 0,3 мм, при пайке 0,3 ´ 0,4 мм.
Расчёт площади, занимаемой тонкоплёночными резисторами:
Расчёт площади, занимаемой тонкоплёночными конденсаторами:
|
|
;
Расчёт площади, занимаемой навесными компонентами МСБ (по справочным данным):
Площадь навесных резисторов R2, R7: ;
Площадь навесного полупроводникового диода ;
Площадь навесного конденсатора С1: ;
Тогда ;
Расчёт площади контактных площадок:
.
Таким образом, площадь подложки равна:
,
где qs – коэффициент дезинтеграции.
Тогда типоразмер подложки, исходя из выберем:
N типоразмера | 6 |
Ширина, мм | 20 |
Длина, мм | 24 |
Разработка конструкции РЭС.
Разработка конструкции РЭС будет произведена по заданным параметрам РЭС, т.е. по определённым параметрам входящих в РЭС конструктивно-технологической единицы (функциональной ячейки).