2020-01-14
196
Поскольку расчётные значения номиналов получаются очень разные, то требуется подбор наиболее подходящего номинала из стандартных значений. Прежде всего при подборе элемента стандартного номинала нужно учитывать мгновенные амплитудные значения токов и напряжений, протекающих через элементы, мощность, проходящую через элементы, рассеиваемую мощность на элементах, электромагнитную совместимость и диапазон рабочих частот. Отметим также, что поскольку выходной фильтр должен иметь значения номиналов входящих в него элементов в соответствии расчётными, то точность подбора каждой ёмкости обеспечивается посредством параллельного включения двух конденсаторов, один из которых выбирается чуть меньше рассчитанного номинала, а другой подстроечный – для точной настройки. Для нашего усилительного каскада номиналы элементов получились следующими:
Резисторы:
| Обозначение | Расчетное значение, Ом | Стандартный номинал, Ом |
| Rдоп | 23.5 | 22 |
| R1 | 292 | 270 |
| R2 | 12.57 | 12 |
|
|
|
Конденсаторы:
| Обозначение | Расчетное значение, мкФ | Стандартный номинал |
| Сбл | 6,8× 10-6 | 6,8 пФ |
| Ср1 | 65,6 × 10-3 | 68 нФ |
| Ср2 | 8,42× 10-3 | 8,2 нФ |
| Ссогл | 3,372 × 10-6 | 3,9 пФ |
| Сф1, Сф4 | 14,805 × 10-6 | 15 пФ |
| Сф2, Сф3 | 27,825 × 10-6 | 27 пФ |
РАСПОЛОЖЕНИЕ ЭЛЕМЕНТОВ НА ПЕЧАТНОЙ ПЛАТЕ
Для того чтобы избежать самовозбуждения оконечного каскада передатчика необходимо вход и выход каскада расположить на плате как можно дальше друг от друга. Во избежание появления межкорпусных емкостей, элементы нельзя ставить слишком близко друг к другу и к каким либо металлическим частям корпуса передатчика. Соединительные провода необходимо делать как можно более короткими для уменьшения паразитных индуктивностей. Основываясь на этих правилах, и произведена компоновка элементов. Расположение элементов на печатной плате
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
В процессе выполнения курсового проекта был рассчитан оконечный каскад передатчика с частотной модуляцией, полностью удовлетворяющий критериям, приведенным в задании на проектирование. Также выбрана, обоснована и представлена структурная схема всего передающего устройства.
Была приведена схема расположения элементов радиопередатчика на печатной плате, построенная из соображений оптимальной работы устройства – уменьшения действия паразитных реактивностей, возникающих на проводниках между элементами и между корпусами элементов, и обеспечения необходимого температурного режима устройства.
Для выполнения курсовой работы были изучены новые аспекты и нюансы проектирования радиопередающих устройств, вследствие чего были приобретены необходимые знания для дальнейшей работы в этом направлении.
|
|
|
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Шумилин М. С., Козырев В. Б., Власов В. А. Проектирование транзисторных каскадов передатчиков: Учебное пособие для техникумов. М.: Радио и связь, 1987.
2. Радиопередающие устройства: Методические указания по курсовому проектированию. Л. И. Булатов, Б. В. Гусев, Ф. В. Харитонов. Екатеринбург; УПИ, 1992.
3. Проектирование радиопередатчиков: Учебное пособие для вузов/ В. В. Шахгильдян, М..С. Шумилин, В.Б. Козырев и др.Ж Под ред. В. В. Шахгильдяна. – М.: Радио и связь, 1990 г.
ПРИЛОЖЕНИЕ А
Параметры транзистора КТ920В
| Параметр | Название | Значение |
| rб | Сопротивление материала базы | 0,25 Ом |
| rэ | Стабилизирующее сопротивление в цепи эмиттера | 0,3 Ом |
| rнас | Сопротивление насыщения | 0,24 Ом |
| RЭУ | Сопротивление утечки эмиттерного перехода | 1 кОм |
| b0 | Коэффициент передачи по току в схеме с общим эмиттером ОЭ на постоянном токе | 32 |
| fт | Граничная частота передачи по току в схеме с ОЭ | 529 МГц |
| Uкэ доп | Максимальное напряжение на коллекторе | 36 В |
| Ск | Барьерная ёмкость коллекторного перехода | 55 пФ |
| Сэ | Барьерная ёмкость эмиттерного перехода | 410 пФ |
| Lэ | Индуктивность вывода эмиттера транзистора | 1 нГн |
| Lб | Индуктивность вывода базы транзистора | 2,4 нГн |
| Lк | Индуктивность вывода коллектора транзистора | 2,4 нГн |
| Uбэ доп | Обратное напряжение на эмиттерном переходе | 4 В |
| Iк0 доп | Допустимое значение постоянной составляющей коллект-ого тока | 3 А |
| Iк мах доп | Допустимое значение Iк мах | 7 А |
| Rпк | Тепловое сопротивление переход (кристалл) ‑ корпус | 10 °С/Вт |
| Df¢ | Диапазон частот | 50 – 200 Мгц |
| Е¢ | Напряжение отсечки | 0,7 В |
| Схема включения с ОЭ | ||
