Максимальный ток первичной обмотки
, А:
(6.1)

Действующее значение тока обмотки
, А:
(6.2)

Коэффициент трансформации силового трансформатора:
(6.3)

Действующее значение тока вторичной обмотки
и диода VDв, А:
(6.4)

Индуктивность первичной обмотки
трансформатора TV, мГн:
(6.5)
Найдем индуктивность первичной обмотки:

Определяем число витков первичной обмотки
. Из данных приложения 1 {1} предварительно выбираем магнитопровод
. Для него средняя длина силовой линии
, площадь поперечного сечения сердечника
, магнитная проницаемость
:
(6.6)

Полученный результат следует округлить до ближайшего целого и желательно четного числа, поэтому
.
Приращение магнитной индукции в сердечнике магнитопровода за время действия импульса тока первичной обмотки, Тл:
(6.7)

Индукция насыщения материала сердечника МП140 равна
. Она больше, чем рассчитанное приращение
, поэтому можно сделать вывод о том, что типоразмер магнитопровода выбран верно. В противном случае нам бы требовалось выбирать магнитопровод с меньшей магнитной проницаемостью и пересчитывать число витков.
Определяем коэффициент трансформации обмотки
питания схемы управления по отношению к обмотке
:
, (6.8)
где
напряжение питания 

Определяем число витков обмоток трансформатора TV, витков:
(6.9)

Выбираем
.
(6.10)

Выбираем
.
Определяем диаметр проводов обмоток и потери мощности в обмотках трансформатора.
Для уменьшения индуктивности рассеяния
необходимо равномерное распределение обмоток по поверхности тороидального магнитопровода и расположение их друг над другом с минимальным расстоянием. Т.е. толщина изоляции между обмотками должна быть минимальной. В данном случае обмотку
наматывают первой и далее наматывают обмотку
.
Диаметр провода с изоляцией определяем исходя из условия расположения обмотки
виток к витку по внутренней окружности сердечника в один слой, мм:
, (6.11)
где
- внутренний диаметр выбранного сердечника магнитопровода, геометрические и электрические параметры тороидальных магнитопровода типа МП приведены в приложении 1 {1}.
Справочные данные по обмоточным проводам приведены в приложении 3 {1}, откуда выбираем провод ПЭТВ-2-0,55. Его диаметр без изоляции равен
, сечение провода
, а сопротивление 1м провода (погонное сопротивление)-
.
Определяем плотность тока в проводе обмотки
, А/мм2:
(6.12)
,
что вполне удовлетворяет требуемым нормам:
.
Длина провода первичной обмотки, мм:
(6.13)
,
т.е. длина провода первичной обмотки
.
Потери мощности в проводе обмотки
, Вт:
(6.14)

Потерями мощности можно пренебречь.
Диаметр провода без изоляции вторичной обмотки, мм:
(6.15)

Из данных таблицы приложения 3 {1} выбираем провод ПЭТВ-0,62. Его диаметр без изоляции равен
, поперечное сечение
, а погонное сопротивление
.
С учётом наличия на сердечнике обмотки
и межобмоточной изоляции длина провода вторичной обмотки
:
(6.16)
,
т.е. длина провода вторичной обмотки
.
Потери мощности в проводе вторичной обмотки, Вт
(6.17)

Т.к. ток, протекающий по обмотке
, не превышает 10…20 миллиампер, т.е. весьма мал, то для нее из таблицы 3 приложения 3 {1} выбираем провод ПЭТВ-2-0,1 и расчёта потерь мощности не делаем.
На этапе расчета потери мощности считаются равными потерями в проводах обмоток, т.е. полные потери мощности в трансформаторе равны, Вт:
(6.18)
Потери мощности в трансформаторе, Вт:

Действующее значение тока стока транзистора равно току первичной обмотки
:
. Максимум напряжения сток-исток транзистора будет иметь место непосредственно после его запирания, Вт:
, (7.1)
где
-напряжение, вызванное накоплением тока в индуктивности рассеяния обмоток TV. На предварительном этапе расчета принимается:
.

На основании расчетов и в соответствии с приложением 4 {1} выбираем транзистор 2П803А.
Статические потери мощности в транзисторе составляют, Вт:
, (7.2)
где
- сопротивление транзистора VTs в открытом состоянии;
- максимальная температура перехода транзистора;
- максимальная температура окружающей среды, задана в задании.
Вычислим статические потери мощности в транзисторе, Вт:

Поскольку рассчитываемый преобразователь предназначен для работы в режиме ПТ, то коммутационными потерями мощности, вызванные наличием импульса тока
можно пренебречь.
Потери мощности при включении транзистора VTs зависят от времени спада тока стока
, которое, в свою очередь, определяется временными и амплитудными параметрами сигнала
, формируемого схемой управления. Практически для выбранной элементной базы можно принять, что
.
Ориентировочно потери мощности при включении транзистора VTs определяются, Вт:
(7.3)

Суммарная мощность, рассеиваемая транзистором VTs, Вт:
(7.4)







