Действующее значение тока диода равно току вторичной обмотки .
Обратное напряжение на диоде, В:
(8.1)
Критерии выбора диода те же, что и для транзистора. Поскольку через диод протекает значительный ток, то его следует выбирать с большим запасом. Это позволит уменьшить размеры теплоотвода. Руководствуясь этим, выбираем диодную сборку КД636ВС, которая представляет собой два диода Шоттки с общим катодом. Она имеет: обратное напряжение и максимальный прямой ток - . Время восстановления обратного сопротивления - . Падение напряжения на этой диодной сборке равно: .
Статические потери мощности на диоде VDв:
(8.2)
Поскольку преобразователь работает в режиме ПТ, то коммутационными потерями мощности, вызванными наличием импульса тока в режиме НТ, можно пренебречь.
Определим параметры элементов схемы управления на рис.11.
Рассчитаем сопротивление резистора запуска ИВЭП- .
Через этот резистор протекает ток заряда конденсатора и ток запуска ИМС , равный 0,5 мА. Напряжение запуска ИМС составляет 16В. Предположим, что требуемый суммарный ток запуска равен удвоенному току запуска 1,0мА, тогда схема будет надежно запускаться, если сопротивление резистора , кОм:
|
|
(9.1)
Ближайшим из стандартного ряда является резистор сопротивлением 160кОм. Следовательно, .
Мощность, рассеиваемая этим резистором, составляет:
(9.2)