Действующее значение тока диода равно току вторичной обмотки
.
Обратное напряжение на диоде, В:
(8.1)

Критерии выбора диода те же, что и для транзистора. Поскольку через диод протекает значительный ток, то его следует выбирать с большим запасом. Это позволит уменьшить размеры теплоотвода. Руководствуясь этим, выбираем диодную сборку КД636ВС, которая представляет собой два диода Шоттки с общим катодом. Она имеет: обратное напряжение
и максимальный прямой ток -
. Время восстановления обратного сопротивления -
. Падение напряжения на этой диодной сборке равно:
.
Статические потери мощности на диоде VDв:
(8.2)

Поскольку преобразователь работает в режиме ПТ, то коммутационными потерями мощности, вызванными наличием импульса тока
в режиме НТ, можно пренебречь.
Определим параметры элементов схемы управления на рис.11.
Рассчитаем сопротивление резистора запуска ИВЭП-
.
Через этот резистор протекает ток заряда конденсатора
и ток запуска ИМС
, равный 0,5 мА. Напряжение запуска ИМС составляет 16В. Предположим, что требуемый суммарный ток запуска
равен удвоенному току запуска 1,0мА, тогда схема будет надежно запускаться, если сопротивление резистора
, кОм:
(9.1)

Ближайшим из стандартного ряда является резистор сопротивлением 160кОм. Следовательно,
.
Мощность, рассеиваемая этим резистором, составляет:
(9.2)







