Если для малошумящего приема радиосигналов используются только полупроводниковые элементы, то для передачи мощных высокочастотных сигналов до сих пор применяются вакуумные лампы. В одном полупроводниковом приборе получить большую выходную мощность высокочастотного сигнала не удается. Сложение мощностей высокочастотных модулированных сигналов – это непростая техническая задача. Разработки мощных высокочастотных полевых транзисторов ведутся на основе гетероструктур широкозонных полупроводников типа AlN, GaN и их твердых растворов AlGaN. Увеличение выходной мощности достигается за счет следующих свойств материалов:
· использование подложек с высокой теплопроводностью (карбид кремния SiC);
· высокая допустимая рабочая температура (выше 200°С);
· высокие рабочие напряжения (50¸60 В) обеспечивающиеся шириной запрещенной зоны.
Полевые гетероструктурные транзисторы на основе арсенидов (GaAs, AlAs) работают при напряжениях 15¸20 В и отдают в нагрузку до 20 Вт мощности. Экспериментальные образцы транзисторов на основе нитридов (GaN, AlN) выдерживают напряжение до 120 В и выходную мощность до 150 Вт.
|
|
Вертикальная структура мощного высокочастотного транзистора принципиально не отличается от структуры малошумящего. Основные отличия состоят в толщинах слоев и размерах топологических элементов. Вертикальная структура широкозонного мощного транзистора включает:
· подложку из карбида кремния (SiC);
· переходный слой AlGaN;
· активный слой GaN (N типа проводимости);
· донорный слой AlGaN (N- типа);
· контактный слой GaN (N+- типа).
Подвижность носителей в активном слое 2¸3∙103 см2/В∙с.
Широкозонные полупроводники исследуются так же как технологическая основа полупроводниковых приборов с размерами элементов менее 10 нм. Увеличенные потенциальные барьеры в структуре многократно уменьшают ток утечки. Основная технологическая проблема – это омические контакты. Техника широкозонных полупроводников развивается очень быстро. В 2005 году Департамент научных исследований министерства обороны США принял 10 - летнюю программу развития военной микроэлектроники на основе широкозонных полупроводников. В 2014 году должно быть налажено серийное производство микросхем на их основе. Исследования приборов и технологии широкозонных полупроводников ведутся и в Российской Академии наук.
Микросхемы на основе гетероструктур кремний - германий
Твердый раствор кремний - германий имеет ширину запрещенной зоны в диапазоне от 1,12 до 0,8 эВ в зависимости от молярной доли компонентов. Гетероструктуры на кремниевых пластинах получаются с использованием тонких слоев SiGe с шириной запрещенной зоны около 0,9 эВ.
|
|
С точки зрения физики полупроводников эти гетероструктуры меньше подходят для создания приборов, чем соединения группы А3В5. Подвижность носителей ниже и разность в ширине запрещенной зоны значительно меньше. Однако возможность использования высокоразвитой кремниевой технологии позволяет создавать гетероструктурные микросхемы высокой степени интеграции, включающие как биполярные, так и КМОП - транзисторы. В схемах на основе полупроводников А3В5 это пока недостижимо. Биполярные транзисторы с базой из SiGe по быстродействию почти сравнялись с гетероструктурными биполярными транзисторами на полупроводниках А3В5. МОП - транзисторы на SiGe имеют быстродействие, сравнимое с лучшими кремниевыми образцами, и значительно уступают транзисторам с высокой подвижностью электронов. Свои схемотехнические преимущества гетероструктуры со слоями SiGe проявляют в сложных аналого-цифровых микросхемах.
Технология гетероструктур со слоями SiGe появилась позднее, чем на полупроводниках типа А3В5. Это связано с большой сложностью молекулярной эпитаксии слоев SiGe. Совместимость технологии гетероструктур с типовой кремниевой технологией играет решающую роль в ее развитии.
Рассмотрим подробнее физические структуры полупроводниковых приборов. Вертикальная структура биполярного n – p – n - транзистора с базой в слое SiGe включает:
· переходный слой кремния p - типа;
· скрытый слой кремния n + - типа;
· коллекторный слой кремния n - типа;
· базовый слой кремний-германийя p - типа;
· эмиттерный слой кремния n - типа, в котором диффузией локально создается область n + - эмиттера.
Сечение структуры n – p – n - транзистора с боковой диэлектрической изоляцией и самосовмещением контактов к базе и эмиттеру. Структура идентична структуре обычного кремниевого высокочастотного транзистора. Главное отличие состоит в уменьшении пролетного времени в базе (больше коэффициент диффузии электронов, меньше толщина слоя), а также в уменьшении базового сопротивления. Сопротивления кремниевых областей и емкости переходов практически совпадают с этими параметрами кремниевых транзисторов.
Основная проблема создания МОП - транзисторов со слоями SiGe состоит в сложности формирования подзатворного диэлектрика требуемого качества. Обычно в гетероструктуре поверх нелегированного слоя SiGe выращивается тонкий слой Si. При окислении этого слоя и создается подзатворный диэлектрик. Тем не менее, инверсный канал МОП - транзистторов появляется в узкозонном слое SiGe. Тонкий остаточный слой кремния у поверхности проявляет себя как дополнительный слой подзатворного диэлектрика. При увеличении напряжения на затворе может появиться второй проводящий канал на границе SiO2 – Si.
Слой кремния под затвором МОП - транзистора создает дополнительные трудности по масштабному уменьшению размеров приборов, так как вертикальная структура заведомо толще. Воспроизводимость параметров МОП - транзисторов также хуже. Минимальная длина затвора МОП - транзистора со слоем SiGe в 2005 г. составляла 0,18 мкм. Преимущество в быстродействии достигается за счет подвижности носителей в нелегированном слое SiGe.
Функциональные приборы и устройства
Основные определения
Функциональные блоки микроэлектронных устройств обычно представляют собой набор полупроводниковых приборов, соединенных металлическими проводниками. Информация представлена в форме токов и напряжений в проводниках. Основные функции достигаются построением и реализацией соответствующего алгоритма. Такие блоки и устройства называются схемотехническими.
Однако существуют электронные устройства, основные функции которых выполняются за счет свойств используемых материалов. Эти функции связаны с возникновением в твердых телах динамических неоднородностей. Динамическая неоднородность – локальный объем в непрерывной среде с отличными от окружения свойствами. Динамическая неоднородность не имеет внутри себя статических неоднородностей и возникает в результате определенных физических воздействий. При перемещении и взаимодействии динамических неоднородностей может происходить перенос и обработка информации. Приборы и устройства, основанные на процессах управления динамическими неоднородностями в твердых телах, называются функциональными.
|
|
Поскольку физические величины по своей природе являются аналоговыми, то в функциональных приборах происходит аналоговая обработка информации. Замечательным свойством функциональных приборов является возможность простой реализации функций высшего порядка. К функциям высшего порядка можно отнести преобразование Фурье, операции сверки, корреляции, фильтрации, задержки сигналов и др. Для замены таких устройств цифровыми вычислителями потребуется производительность до 1015 операций в секунду, что невозможно реализовать технически и бессмысленно с точки зрения экономики.
Типовая конструкция функционального прибора включает твердотельный элемент (активную среду), в котором формируются динамические неоднородности, а также генератор неоднородностей, устройство управления, детектор неоднородностей.
В функциональных приборах основные функции определяются формулами, описывающими физические процессы в твердых телах.
В сложных системах используются как функциональные, так и схемотехнические приборы и устройства. Номенклатура и возможности функциональных устройств постоянно расширяются. В зависимости от того, какие физические процессы в твердых телах используются для управления и преобразования информации, выделяются и основные направления функциональной электроники:
· оптоэлектроника;
· акустоэлектроника;
|
|
· магнитоэлектроника;
· микромеханика;
· сверхпроводниковая электроника и др.
Номенклатура функциональных приборов очень велика. Ниже мы рассмотрим некоторые распространенные функциональные приборы и устройства на их основе.