Висновки до розділу III

1. На залежності концентрації вільних носіїв зарядів від складу в області х = 0,02 - 0,03 виявлено мінімум, який пов'язується з утворенням в ТР нейтральних комплексів типу (СdTe) ⁰ та інших. Показано, що доля іонів об'єднаних в такі пари, складає не менш 98%. Зменшення числа розсіюючих центрів в сплаві супроводжувалось збільшенням рухливості електронів, яка досягає максимуму при х = 0,02.0,03.

2. Для сильно вироджених сплавів х = 0,01 і х = 0,05 рухливість не залежить від температури, тоді як при частковому знятті виродження (х = 0,02.0,03) в температурному інтервалі 100 - 400К спостерігається різкий ріст рухливості µ_п ~ T ^2,5ч1,9, а в області 400 - 700 К рухливість зменшується як µ_n ~ Т^{- 1}.

. Із аналізу температурної залежності рухливості при частковому знятті виродження, встановлено, що між домішковою зоною і зоною провідності утворюється енергетичний зазор величиною

Е = 0,013 ч0, 034 еВ.

Список використаних джерел

1.      Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. - М.: Наука, 1978. - 574 с.

.   Маделунг О. Физика полупроводникових соединений элементов III и V групп. - М.: Мир, 1967. - 467 с.

.   Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. - М.: Наука, 1977. - 670 с.

4. Смит Р. Полупроводники. - М.: Мир, 1982. - 549 с.

.   Мотт Н., Туз У. Теорія проводи мости по примесям // УФН. - 1963. - V.79 - P.691 - 697.

6. Davis T., Comton W.compensation Dependens of Impurity Conductiony - Doped Germanium // Phys. Rev. - 1965. - V.140. - A2188.

.   Мирзабаев М., Наумов Ю.П., Прокофьева С.П., Саидов А.С., ТуркевичВ.М., Шмарцев Ю.В. Влияние магнитного поля на энергию активации Е₂ в германии n - типа // ФТП. - 1968. - 2. - №6. - С.1097 - 1100.

.   Хилсум К., Роуз-Инс А. Полупроводники типа А³В⁵. - М.: ИЛ, 1963. - 305 с.

.   Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. - М.: Наука, 1979. - 396с.

10. Xu Jainer, Gong Yagin, Zheng Gouzhen, Guo Sholing. Effect of impurity compensations on nonlinear conductivity in n-type InSb material // J. Semicond. - 1991. - 12. - № 6. - P.338 - 345.

11. Анищенко В.А., Бродовой В.А., Вялый Н.Г., Викулов В.А., Кнорозок Л.М. Влияние комплексообразования на электрические свойства кристалов твердых растворов (InSb}i-_x (CdTe) _x // Российская

.   академия наук. Неорганич. материалы. - 1993. - Т.29. - N2. - С. 197-199.

13. Tsukioka Kunio. Electron mobility in InSb at intrinsic condaction range // Men. Fac. Eng. Tamagawa Univ. - 1990. - № 25. - P.47 - 62.

14. Аніщенко В.А., Вялый Н. Г, Кнорозок Л.М., Пердій В.О. Про механізми розсіяння електронів в ТР (InSb ) _x ( CdTe ) _1-x // Тез. Доп. II української конференції "Матеріалознавства і фізика напівпровідникових фаз змінного складу." - Ніжин. - 1993. - Ч.3. - С.322.

.   Аніщенко В.А., Вялый Н. Г, Кнорозок Л.М. Про механізм розсіяння електронів в ТР ( InSb ) _x ( CdTe ) _1-x n- типу. // Наукові записки Ніжинського державного педагогічного інституту, серія фізмат наук. - Ніжин. - Т. XV. 1995. - С.87 - 91.

.   Аскеров Б.М. Электронные явления переноса в полупроводниках. М.: Наука, 1985. - 320с.