Задания для проведения дифференцированного зачета

I. Паспорт комплекта оценочных средств

 

Область применения комплекта оценочных средств

Комплект оценочных средств предназначен для оценки результатов освоения дисциплины «Прикладная электроника»

Таблица 1

Результаты освоения (объекты оценивания)	Основные показатели оценки результата и их критерии	Тип задания; № задания	Форма аттестации (в соответствии с учебным планом)
Уметь различать полупроводниковые диоды, биполярные транзисторы и полевые транзисторы, тиристоры на схемах и в изделиях	Определение назначения элементов	Индивид. задание Практическая работа	Текущий контроль, Экзамен
Уметь определять назначение и свойства основных функциональных узлов аналоговой электроники: усилителей, генераторов в схемах	Знание основных исполнений элементов	Индивид. задание Практическая работа	Текущий контроль
	Знание обозначений основных элементов схем	Индивид. задание Практическая работа	Текущий контроль
	Определение назначения узлов	Индивид. задание Практическая работа	Текущий контроль
	Знание основных принципов выполнения узлов	Индивид. задание Практическая работа	Текущий контроль
Уметь использовать операционные усилители для построения различных схем;	Использование основных формул и приемов расчета	Индивид. задание Практическая работа	Текущий контроль, Экзамен
	Знание схем на операционных усилителях	Индивид. задание Практическая работа	Текущий контроль
Уметь применять логические элементы для построения логических схем, грамотно выбирать их параметры и схемы включения.	Применение логических элементов	Тест, устный опрос	Текущий контроль, Экзамен
Знать принципы функционирования интегрирующих и дифференцирующих RC цепей	Знание работы интегрирующих и дифференцирующих RC цепей	Тест, устный опрос	Текущий контроль
Знать технологии изготовления и принципы функционирования полупроводниковых диодов и транзисторов, тиристора, аналоговых электронных устройств;	Знание принципов устройства функционирования полупроводниковых диодов и транзисторов, тиристора,	Тест, устный опрос	Текущий контроль
Знанть свойства идеального операционного усилителя	Знание определений, правил анализа, свойств	Тест, устный опрос	Текущий контроль
Знать принципы действия генераторов прямоугольных импульсов, мультивибраторов	Знание принципов работы, временных диаграмм	Тест, устный опрос	Текущий контроль
Знатьособенности построения диодно-резистивных, диодно-транзисторных и транзисторно-транзисторных схем реализации булевых функций	Выделение диодно-резистивных, диодно-транзисторных и транзисторно-транзисторных схем, булевых функций	Тест, устный опрос	Текущий контроль
Знать цифровые интегральные схемы: режимы работы, параметры и характеристики особенности применения при разработке цифровых устройств	Классификация цифровые интегральные схемы, применения при разработке цифровых устройств	Тест, устный опрос	Текущий контроль
Знать этапы развития интегральных схем: большие интегральные схемы (БИС), сверхбольшие интегральные схемы (СБИС), микропроцессоры в виде одной или нескольких СБИС, переход к нанотехнологиям производства ИС, тенденции развития	Знание этапов развития интегральных схем	Тест, устный опрос	Текущий контроль

 

 

1.2  Оценивание освоенности производится согласно таблицы:

Вид и наименование работ	Вид контроля	Критерии оценки
		«отлично»	«хорошо»	«удовлетворительно»	«неудовлетворительно»
1	2	3	4	5	6
Текущий контроль по лекционному материалу	Выборочный устный контроль	Студент знает основные понятия раздела и умеет приводить примеры	Студент ошибается в основных понятиях раздела и умеет приводить примеры	Студент имеет представление об основных понятиях раздела и не умеет приводить примеры	Студент не имеет представления об основных понятиях раздела и не умеет приводить примеры
Решение практических задач по теме	Письменный контроль	Студент понял материал и правильно решил задачи, умеет приводить примеры	Студент понял материал и правильно решил задачи, не умеет приводить примеры	Студент имеет представление об основных понятиях, но неправильно решает задачи, не умеет приводить примеры	Студент не имеет представления об основных понятиях, неправильно решает задачи, не умеет приводить примеры
Отчет по практической работе	Письменный контроль	Студент знает основные понятия раздела и умеет приводить примеры	Студент ошибается в основных понятиях раздела и умеет приводить примеры	Студент имеет представление об основных понятиях раздела и не умеет приводить примеры	Студент не имеет представления об основных понятиях раздела и не умеет приводить примеры
Подготовка доклада	Устное выступление	Текст доклада составлен согласно плану, изложение логичное	В тексте имеются не большие неточности и в изложении не точности	В тексте и в изложении неточности	Студент не предоставил текст доклада и не готов к выступлению
Самостоятельная работа	Письменный контроль	Все материалы предоставлены в срок, не требуют дополнительного завершения. Студент грамотно отвечает на поставленные вопросы, может обосновать свою точку зрения	Все материалы предоставлены в срок, не требуют дополнительного завершения. Студент грамотно отвечает на поставленные вопросы	Материалы требуют дополнительного завершения	Студент не предоставил никаких материалов по теме
Контрольная работа или экзаменационная работа	Письменный контроль	Студент знает материал, и правильно выполнил все задания	Студент знает материал, но выполнил задания с неточностями	Студент знает материал, но выполнил не все задания	Студент выполнил менее 50% заданий

 

2. Комплект оценочных средств.

Семестр

    Контрольные вопросы к темам 1.1 и 1.2.

     11. Как называется элемент, имеющий указанную на рисунке 1 структуру. Объяснить принцип его работы.

Рисунок 1

 

      12. Что за характеристики указаны на рисунке 2, к какому элементу они относятся, объяснить их ход. Где расположен участок лавинного открывания.

Рисунок 2

Контрольные вопросы к теме 1.3.

   14. Указать условные обозначения транзисторов npn и pnp.

15. Можно ли получить усиление тока при включении транзистора с общей базой.

16.Какое смещение должно быть для эмиттерного и коллекторного переходов при работе транзистора в режиме усиления тока.

 

17. Указать, структура какого элемента приведена на рисунке 3,и объяснить принцип его работы.

Рисунок 3

18. Указать, структура какого элемента и его условное обозначение приведены на рисунке 4,и объяснить принцип его работы.

     

Рисунок 4

19. Привести условные графические обозначения всех транзисторов в соответствии с

рисунком 5, назвать выводы.

Рисунок 5

20. В чем преимущество полевых транзисторов перед биполярными?

21. Какие особенности при подаче рабочего напряжения на затвор для ПТ с индуцированным и встроенным каналами?

22. Какую полярность должно иметь напряжение на затворе ПТ с индуцированным p–каналом?

Задания для проведения дифференцированного зачета

Дифференцированный зачет проводится в форме – теста.

Вопросы по темам для подготовки к дифференцированному зачету:

1. Способы создания p-n перехода.
2. Принцип работы p-n перехода.
3. Контактные явления.
4. Общие сведения о полупроводниковых диодах.
5. Виды полупроводниковых диодов.
6. Устройство, принцип работы, характеристики полупроводниковых диодов.
7. Рабочий режим полупроводниковых диодов.
8. Общие сведения о биполярных транзисторах.
9. Устройство, принцип работы, характеристики биполярных транзисторов.
10. Основные схемы включения (ОБ, ОК, ОЭ) биполярных транзисторов.
11. Частотные и температурные параметры биполярных транзисторов.
12. Режимы работы биполярных транзисторов.
13. Общие сведения о полевых транзисторах.
14. Устройство, принцип работы, характеристики полевых транзисторов.
15. МДП-транзисторы. КМОП-транзисторы.
16. Параметры полевых транзисторов.
17. Преимущества, недостатки полевых транзисторов.
18. Выбор рабочего режима полевых транзисторов.
19. Общие сведения о тиристорах.
20. Логические элементы.
21. Параметры логических элементов.
22. Реализация логических функций в разных базисах.
23. Этапы развития интегральных схем: БИС, СБИС, МП СБИС.
24. Степени интеграции.

Тест Вариант 1.

1. При работе транзистора в активном режиме р-n переходы смещены так:

а) ЭП и КП–в прямом направлении

б) ЭП и КП–в обратном направлении

в) ЭП-в прямом, а КП-в обратном направлении

г) КП–в прямом направлении, ЭП-в обратном направлении

 

2. В транзисторе ток коллектора Iк=9.9mА, Iб=100мкА. Найти Iэ, α, β:

а) Iэ=10мА, α=0,99, β=99

б) Iэ=9,8мА, α=0,9, β=100

в) Iэ=110мкА, α=0,999, β=999

г) Iэ=90мкА, α=1,1, β=0,1

 

3. Наибольшим коэффициентом усиления по мощности обладает биполярный транзистор, включенный по схеме:

а) с ОБ

б) с ОЭ,

в) с ОК

г) ОЭ и ОК одинаково

 

Показать УГО n – р – n транзистора (рисунок 1)

 

 

Рисунок 1

 

5. Показать (рис.2) графики входных ВАХ биполярного транзистора в схеме с ОЭ:

 

Рисунок 2