Определим графически из семейства вольтамперных характеристик величины температурных коэффициентов ТКUпр и ТКIобр.
Iпр,мА
|
|
|
|
|
|
|
|
| |
200
| |||||||||
160
| |||||||||
| 120 | |||||||||
80
| |||||||||
| 40 | |||||||||
0
| 0,2 | 0,4 | 0,6 | 0,8 | 1,0 | 1,2 U1 | 1,4 | 1,6 U2 | Uпр,В |
I = 200 мА, U1= 1,5 B, U2= 1,1 B, T1= 298 K, T2= 213 K
![]() |
Iобр,мкА
|
|
|
|
|
| ||
150
I2
| |||||||
125
|
| ||||||
| 100 |
| ||||||
75
|
| ||||||
| 50 |
| ||||||
25
I1
|
| ||||||
| 0 | 10 | 20 | 30 | 40 | 50 U | 60 | UобрВ |
U = 50 B, I1= 5 мкА, I2= 150 мкА, Т1= 298 К, Т2= 398 К
![]() |
Определение сопротивления базы.
Величина сопротивления базы rб оценивается по наклону прямой ветви ВАХ при больших токах (Т=298К):
Iпр,мА
| |||||||
500
I2
| |||||||
| 400 |
| ||||||
300
| |||||||
200
I1
| |||||||
100
|
| ||||||
| 0 | 0,2 | 0,4 | 0,6 | 0,8 | 1,0 | 1,2 | Uпр,В |
Тепловой потенциал:
![]() |
По вольтамперной характеристике определяем:
U1 = 1,1 В, U2 = 1,2 В,
I1 = 200 мА, I2 = 500 мА
![]() |
Малосигнальная высокочастотная схема диода
И величины её элементов.
Малосигнальная высокочастотная схема диода при обратном смещении:
![]() |
Величины элементов схемы при Uобр = 5 В:
![]() |
Библиографический список.
1) “Электронные приборы: учебник для вузов” Дулин В.Н., Аваев Н.А., Демин В.П. под ред. Шишкина Г.Г.; Энергоатомиздат, 1989 г..
2) Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1980г.
3) Справочник “ Полупроводниковые приборы: диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы”; М.: Энергоатомиздат, 1987г..
4) “ Исследование характеристик и параметров полупроводниковых приборов” методические указания к лабораторной работе по курсу “ Электронные приборы”; Свердловск, 1989г..
Iпр,мА
200
160
80
0

Iобр,мкА
150
I2
125
75
25
I1

500
I2
300
200
I1
100










