Определим графически из семейства вольтамперных характеристик величины температурных коэффициентов ТКUпр и ТКIобр.
Iпр,мА |
|
|
|
|
|
|
|
| |
200 | |||||||||
160 | |||||||||
120 | |||||||||
80 | |||||||||
40 | |||||||||
0 | 0,2 | 0,4 | 0,6 | 0,8 | 1,0 | 1,2 U1 | 1,4 | 1,6 U2 | Uпр,В |
I = 200 мА, U1= 1,5 B, U2= 1,1 B, T1= 298 K, T2= 213 K
Iобр,мкА |
|
|
|
|
| ||
150 I2 | |||||||
125 |
| ||||||
100 |
| ||||||
75 |
| ||||||
50 |
| ||||||
25 I1 |
| ||||||
0 | 10 | 20 | 30 | 40 | 50 U | 60 | UобрВ |
U = 50 B, I1= 5 мкА, I2= 150 мкА, Т1= 298 К, Т2= 398 К
Определение сопротивления базы.
Величина сопротивления базы rб оценивается по наклону прямой ветви ВАХ при больших токах (Т=298К):
Iпр,мА | |||||||||
500 I2 | |||||||||
400 |
| ||||||||
300 | |||||||||
200 I1 | |||||||||
100 |
| ||||||||
0 | 0,2 | 0,4 | 0,6 | 0,8 | 1,0 | 1,2 | Uпр,В |
Тепловой потенциал:
По вольтамперной характеристике определяем:
U1 = 1,1 В, U2 = 1,2 В,
I1 = 200 мА, I2 = 500 мА
Малосигнальная высокочастотная схема диода
И величины её элементов.
Малосигнальная высокочастотная схема диода при обратном смещении:
Величины элементов схемы при Uобр = 5 В:
Библиографический список.
1) “Электронные приборы: учебник для вузов” Дулин В.Н., Аваев Н.А., Демин В.П. под ред. Шишкина Г.Г.; Энергоатомиздат, 1989 г..
2) Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1980г.
3) Справочник “ Полупроводниковые приборы: диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы”; М.: Энергоатомиздат, 1987г..
4) “ Исследование характеристик и параметров полупроводниковых приборов” методические указания к лабораторной работе по курсу “ Электронные приборы”; Свердловск, 1989г..